-
公开(公告)号：CN114530762A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210151942.4
申请日：2022-02-18
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体光放大器芯片，包括依次层叠设置的如下组成部分：下(N面)电极层、衬底、缓冲层、无源波导层、掩埋异质有源区、掩埋倾斜波导层、盖层和上(P面)电极层；掩埋倾斜波导层包括：条形倾斜波导、锥形倾斜波导，其中，所述锥形倾斜波导与所述条形倾斜波导光学连接。由于掩埋倾斜波导层中的条形倾斜波导和宽度渐变的锥形倾斜波导倾斜设置，具有一定倾角，避免了光波在半导体光放大器内部发生谐振，使得光波仅在其中发生单程的光增益放大。锥形倾斜波导的宽度渐变，使其在芯片端面处具有较大的横向尺寸，使得半导体光放大器与光纤具有较大的模场交叠，从而具有较大的耦合效率和对准允差。
-
公开(公告)号：CN111900625A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010762617.2
申请日：2020-07-31
申请人： 度亘激光技术(苏州)有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种激光器及其制造方法，所述激光器包括：衬底，所述衬底上自下而上依次设置有第一限制层、量子阱和第二限制层；脊形成层，设置在所述第二限制层上，所述脊形成层包括多个波导结构，所述多个波导结构阵列式分布；欧姆接触层，设置在所述脊形成层的脊区上表面；绝缘层，设置在所述脊形成层的脊区侧面以及所述脊形成层的沟槽区；金属层，设置在所述欧姆接触层和所述绝缘层上。本申请实现了在不降低激光器输出光功率的同时，提高激光器的COMD电流阈值。
-
公开(公告)号：CN106785911B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710054287.X
申请日：2017-01-22
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/223
摘要： 一种窄脊半导体器件的制备方法，包括以下步骤：外延生长形成半导体外延片，在半导体外延片上依次形成一二氧化硅掩膜及一第一光刻胶掩膜，并光刻形成周期性的第一窗口；干法刻蚀去除第一窗口区的二氧化硅掩膜及部分外延层，形成窄脊结构；在形成的窄脊结构的上表面形成一第二光刻胶掩膜，并光刻形成脊型窗口；用选择性腐蚀液去除第一窗口区外剩余的二氧化硅掩膜，完成器件制备。本发明的制备方法在用选择性腐蚀液腐蚀去除脊型波导结构表面残存的二氧化硅时，选择性腐蚀液只与残存的二氧化硅和第二光刻胶掩膜接触，从而避免了在腐蚀去除残存二氧化硅的过程中脊型结构从本体上的脱落；制备的器件性能及良品率高，能够实现良好的光输出。
-
公开(公告)号：CN106229813A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610836551.0
申请日：2016-09-21
申请人： 中国科学院半导体研究所
IPC分类号： H01S5/223
CPC分类号： H01S5/223
摘要： 一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。
-
公开(公告)号：CN105977787A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610141486.X
申请日：2016-03-11
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 松本启资
CPC分类号： H01S5/2081 , G02B6/00 , G02B6/136 , G02B2006/12078 , G02B2006/12097 , H01L21/308 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/2226 , H01S5/2275 , H01S5/3219 , H01S5/34386 , H01S5/223
摘要： 防止在形成填埋型光元件的脊部时高台面脊型光元件的Al类材料飞溅附着至芯层的侧面，改善可靠性。在形成调制器的区域，形成在内侧具有镂空部(9)的第2绝缘膜(8)，将该第2绝缘膜用作掩模而进行蚀刻，从而在镂空部(9)的下方，在透明波导层(6)以及p-InP上包层(7)形成凹部(10)。接着，形成具有Al类材料的调制器层(11)，在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第3绝缘膜(13)覆盖的状态下进行蚀刻而将除形成在凹部内的调制器层以外的调制器层(11)去除。在将形成在凹部内的调制器层(11)利用第4绝缘膜(14)覆盖的状态下进行蚀刻，形成半导体激光器的脊部，而不使形成在凹部内的调制器层(11)露出。
-
公开(公告)号：CN103430406B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280013813.3
申请日：2012-03-08
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/34 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/168 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3402
摘要： 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括沿激光器的波导轴延伸的一个或多个p型电隔离区（40）和多个电隔离的激光器段（10,12,16）。有源波导芯（20）被夹在上侧（22,26）和下侧（24）n型包覆层之间，且有源芯以及上侧和下侧n型包覆层延伸通过该量子级联激光器的电隔离的激光器各段。上侧n型包覆层的一部分包括足够多的p型掺杂剂变为p型且变为电隔离区，该电隔离区沿着用于分离该量子级联激光器各段的突出物、横跨上侧n型包覆层的厚度的至少一部分而延伸。
-
公开(公告)号：CN104604052A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380039535.3
申请日：2013-06-03
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： J·米勒 , A·S·阿夫拉梅斯库
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
摘要： 在至少一种实施方式中背脊激光器(1)具有带有活性区(20)的半导体层序列(2)。具有确定宽度(B)的波导(3)从半导体层序列(2)作为凸起形成。在波导(3)的背离活性区(20)的上侧(30)上施加接触金属化部(4)。通电层(5)与接触金属化部(4)直接接触。通过通电层(5)电气连接接触金属化部(4)。活性区(20)和/或波导(3)的通电宽度(C)小于波导(3)的宽度(B)。
-
公开(公告)号：CN103518298A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280021698.4
申请日：2012-04-18
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0287 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2059 , H01S5/2215 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/185
摘要： 一种具有桥形波导结构的激光光源，该激光光源具有带多个功能层（4）和有源区域（45）的半导体层序列（10），所述有源区域适于在运行时产生激光，其中功能层（4）中的至少一个构造为桥形波导结构的桥（11），并且其中半导体层序列（10）具有模滤波结构（6），所述模滤波结构构造为桥（11）的一部分和/或沿着功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）旁边和/或垂直于功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）下方。
-
公开(公告)号：CN103430405A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013510.1
申请日：2012-03-01
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/34 , H01S5/223
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/06256 , H01S5/1017 , H01S5/168 , H01S5/2224 , H01S5/2231
摘要： 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括有源波导芯（29），被夹在沿激光器的波导轴延伸的上侧（22,26）和下侧（24）n-型包覆层之间。该上侧n-型包覆层的一部分（40）包括足够多的p-型掺杂剂以变成p-型且变成电隔离区。这些隔离区可仅被设置在激光器的窗口端面段（13,14）之一或这两者处，以在这些端面段中提供垂直隔离，从而减少进入激光器的端面区的电流、并帮助使可能有害的端面加热达到最小。可设置附加p-型电隔离区（40）以形成沿激光器的波导轴延伸的电隔离的激光器段（10，12，16）。
-
公开(公告)号：CN101499625B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200810160916.8
申请日：2008-09-19
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 境野刚
IPC分类号： H01S5/223
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/028 , H01S5/12 , H01S5/2206 , H01S5/2222 , H01S5/2275
摘要： 本发明的目的在于得到一种能够确保良好特性和较高的可靠性的半导体光元件的制造方法。在p型InP覆盖层(12)(第一半导体层)上形成槽(14)。在槽(14)内形成含有Al元素的活性层(15)(第二半导体层)。在p型InP覆盖层(12)和活性层(15)上形成n型InP覆盖层(16)(第三半导体层)。在n型InP覆盖层(16)上，以覆盖活性层15的上方的方式形成绝缘膜(17)。将绝缘膜(17)作为掩模，不使活性层(15)露出地刻蚀p型InP覆盖层(12)和n型InP覆盖层(16)，形成条纹结构(18)。由p型InP埋入层(19)、n型InP埋入层(20)和p型InP埋入层(21)埋入条纹结构(18)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
121 条记录 (耗时 0.018 秒)
