- 专利标题： 用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备
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申请号： CN202111335991.5申请日： 2015-07-02
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公开(公告)号： CN114035254B公开(公告)日： 2024-08-06
- 发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
- 申请人： ASML荷兰有限公司
- 申请人地址： 荷兰维德霍温
- 专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人： ASML荷兰有限公司
- 当前专利权人地址： 荷兰维德霍温
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 胡良均
- 主分类号： G02B5/18
- IPC分类号： G02B5/18 ; G03F1/24 ; G02B5/20 ; G03F1/38 ; G03F1/62 ; G03F7/20
摘要：
本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
公开/授权文献
- CN114035254A 用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备 公开/授权日：2022-02-11
