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公开(公告)号：CN108701576B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680082561.8
申请日：2016-12-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： B·卡斯川普 , J·C·H·缪尔肯斯 , M·A·范登布林克 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , E·P·斯马克曼 , T·朱兹海妮娜 , C·A·维索尔伦
IPC分类号： H01J37/065 , H01J37/15
摘要： 本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动(640，630)。所述致动器系统可包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。
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公开(公告)号：CN110501769B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN118311702A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410484298.1
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN106489084B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201580036687.7
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN114035254B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111335991.5
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN110501769A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910757335.0
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN108701576A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082561.8
申请日：2016-12-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： B·卡斯川普 , J·C·H·缪尔肯斯 , M·A·范登布林克 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , E·P·斯马克曼 , T·朱兹海妮娜 , C·A·维索尔伦
IPC分类号： H01J37/065 , H01J37/15
CPC分类号： H01J37/263 , H01J37/023 , H01J37/15 , H01J37/22 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0245 , H01J2237/2817
摘要： 本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或更多个移动(640，630)。所述致动器系统可包括多个第一可移动结构，所述多个第一可移动结构与多个第二可移动结构至少部分地重叠，所述第一可移动结构和所述第二可移动结构支撑所述多个电子束柱。
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公开(公告)号：CN114035254A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111335991.5
申请日：2015-07-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要： 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号：CN101556438B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200910132571.X
申请日：2009-04-07
申请人： ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： 哈利·西维尔 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F7/70208
摘要： 本发明公开了一种同时地将两个图案形成装置曝光到衬底上的光刻设备和器件制造方法。在实施例中，光刻设备包括用于接收和调节脉冲辐射束的多个照射系统；配置在脉冲辐射束源和照射系统之间用于交替地将辐射束脉冲引导到各个照射系统的束引导装置；用于保持多个图案形成装置的支撑台，每个图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予到各自经调节的辐射束上以形成多个图案化的辐射束；和构造用于将多个图案化的辐射束同时地投影到衬底的目标部分上的投影系统。在实施例中，衬底用相变材料覆盖。
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公开(公告)号：CN101556438A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910132571.X
申请日：2009-04-07
申请人： ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
发明人： 哈利·西维尔 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F7/70208
摘要： 本发明公开了一种同时地将两个图案形成装置曝光到衬底上的光刻设备和器件制造方法。在实施例中，光刻设备包括用于接收和调节脉冲辐射束的多个照射系统；配置在脉冲辐射束源和照射系统之间用于交替地将辐射束脉冲引导到各个照射系统的束引导装置；用于保持多个图案形成装置的支撑台，每个图案形成装置能够将图案在其横截面上赋予到各自经调节的辐射束上以形成多个图案化的辐射束；和构造用于将多个图案化的辐射束同时地投影到衬底的目标部分上的投影系统。在实施例中，衬底用相变材料覆盖。
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