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公开(公告)号:CN110501769B
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN201910757335.0
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN114360759A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202210031847.0
申请日:2016-11-03
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
摘要: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括:目标支撑结构,其被配置成保持目标(30);和分束器(40),其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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公开(公告)号:CN108701502B
公开(公告)日:2022-01-28
申请号:CN201680078016.1
申请日:2016-11-03
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
摘要: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括:目标支撑结构,其被配置成保持目标(30);和分束器(40),其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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公开(公告)号:CN114035254B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202111335991.5
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN110501769A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910757335.0
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm-3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN108701502A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201680078016.1
申请日:2016-11-03
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: P·W·H·德贾格 , S·J·比杰尔斯马 , O·W·V·弗吉恩斯 , 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , N·坦凯特 , A·T·A·M·德克森 , J·J·L·H·维斯帕 , R·G·M·兰斯博根 , A·A·A·卡斯特利根
CPC分类号: G21G1/10 , G21G1/12 , G21G2001/0042 , G21K2201/065
摘要: 一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括:目标支撑结构,其被配置成保持目标(30);和分束器(40),其被布置成沿第一路径将该电子束的第一部分引导朝向该目标(30)的第一侧且沿第二路径将该电子束的第二部分引导朝向该目标(30)的第二侧。
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公开(公告)号:CN114035254A
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN202111335991.5
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN106797101B
公开(公告)日:2019-07-19
申请号:CN201580043627.8
申请日:2015-07-27
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , T·J·克嫩 , J·J·M·范海尔福尔特 , W·J·恩格伦 , G·J·H·布鲁斯阿德 , G·G·波尔特 , E·R·鲁普斯特拉
CPC分类号: H01S3/0903 , H01S3/0071 , H01S3/0959 , H01S3/1024 , H01S3/11 , H01S3/1103
摘要: 协调了在电子聚束的加速阶段电子聚束穿过线性加速器(LINAC)与在电子聚束的减速阶段电子聚束穿过所述LINAC。根据重复电子聚束序列而将每个连续电子聚束对在时间上间隔开相应的聚束间隔。电子源在所述电子聚束序列中提供清除间隙以允许在波荡器处的离子的清除。所述电子源根据清除间隙序列而提供所述清除间隙,使得对于多个能量恢复LINAC中的每个和对于实质上所有所述清除间隙:对于在加速阶段或减速阶段中的所述清除间隙的每次穿过所述LINAC,协调了所述清除间隙与在减速阶段或加速阶段中穿过所述LINAC的所述清除间隙中的另外一个清除间隙,由此维持所述LINAC的能量恢复操作。
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公开(公告)号:CN118311702A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410484298.1
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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公开(公告)号:CN106489084B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201580036687.7
申请日:2015-07-02
申请人: ASML荷兰有限公司
发明人: 安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫 , V·Y·班尼恩 , 约瑟夫·帕卓斯·亨瑞克瑞·本叔普 , 阿尔扬·布格阿德 , 弗洛里安·迪迪埃·阿尔滨·达鲁因 , 阿列克谢·谢尔盖耶维奇·库兹涅佐夫 , 玛丽亚·皮特 , L·斯卡克卡巴拉兹 , 威廉·琼·范德赞德 , 彼得-詹·范兹沃勒 , A·M·雅库尼恩
摘要: 本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜,所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括:一个或更多个高掺杂区,其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂;及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层,其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
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