发明公开
- 专利标题： 铁电存储器器件与其制造方法以及半导体芯片
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申请号： CN202210204692.6申请日： 2022-03-02
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公开(公告)号： CN114664946A公开(公告)日： 2022-06-24
- 发明人: 黄彦杰 , 陈海清 , 林佑明 , 林仲德
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 王素琴
- 优先权： 63/156,958 20210305 US 17/352,339 20210620 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L27/11585
摘要：
本揭露提供铁电存储器器件、铁电存储器器件的制造方法以及半导体芯片。铁电存储器器件包括栅极、铁电层、通道层、第一阻挡层、第二阻挡层与一对源极/漏极。铁电层设置于栅极的一侧。通道层经由铁电层而电容耦合至栅极。第一阻挡层与第二阻挡层设置于铁电层与通道层之间。第二阻挡层设置于第一阻挡层与通道层之间。第一阻挡层与第二阻挡层包括相同的材料，且第二阻挡层更掺杂有氮。一对源极/漏极设置于栅极的相对两侧，且电性连接至通道层。
IPC分类:
