本发明公开了一种去除ALD绕镀氧化铝的PECVD镀膜方法，包括以下步骤：S1、进舟，将装载硅片的载具通过推舟运动机构送入反应腔体；S2、抽真空，将反应腔体内抽至真空状态；S3、第一次恒温，控制反应腔体温度恒定；S4、检漏，监测反应腔体内的压力变化情况，以符合工艺所预设的漏率；S5、第一次沉积，进行第一次硅片沉积；S6、第二次沉积，进行第二次硅片沉积；S7、回常压，将反应腔体恢复常压；S8、出舟。本发明具有操作简单、无需增加额外工序、ALD绕镀氧化铝去除效果显著且有利于氢体钝化等优点。