本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。