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公开(公告)号：CN112701192B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110130686.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN114628547B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210238285.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供一种背表面局域形貌的太阳电池及其制备方法，该制备方法，包括依次进行的如下步骤：制绒、扩散、激光局域刻蚀、酸洗、抛光、制结、退火、镀膜及金属化。一方面，采用激光在硅衬底背表面进行激光局域刻蚀，能形成凹槽形貌，以提升印刷的金属浆料的粘附性，减少断栅，并增加金属栅线的高宽比来减少光遮挡，进而能提高太阳电池的生产良率和电池效率。另一方面，碱抛光能在非激光刻蚀区域形成光滑的平面结构，以起到增强背钝化的效果；而且，在激光局域刻蚀之后进行酸洗、碱抛光及退火与烧结，能对激光造成的污染和损伤进行清洗和修复，基本消除激光损伤，确保背钝化效果，并不会额外增加清洗和修复工序。
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公开(公告)号：CN115274871A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110486549.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN114628547A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210238285.7
申请日：2022-03-10
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0236
Abstract: 本发明属于光伏电池技术领域，提供一种背表面局域形貌的太阳电池及其制备方法，该制备方法，包括依次进行的如下步骤：制绒、扩散、激光局域刻蚀、酸洗、抛光、制结、退火、镀膜及金属化。一方面，采用激光在硅衬底背表面进行激光局域刻蚀，能形成凹槽形貌，以提升印刷的金属浆料的粘附性，减少断栅，并增加金属栅线的高宽比来减少光遮挡，进而能提高太阳电池的生产良率和电池效率。另一方面，碱抛光能在非激光刻蚀区域形成光滑的平面结构，以起到增强背钝化的效果；而且，在激光局域刻蚀之后进行酸洗、碱抛光及退火与烧结，能对激光造成的污染和损伤进行清洗和修复，基本消除激光损伤，确保背钝化效果，并不会额外增加清洗和修复工序。
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公开(公告)号：CN115274869B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110484677.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度。该极性相同的钝化接触结构能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，能提高其短路电流和双面率，进而能提高太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115706172A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110897851.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/054 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该钝化接触太阳电池包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；背面钝化膜的厚度为40～110nm。该钝化接触太阳电池既能降低电池背面的光反射率，又能降低接触电阻，提高填充因子，且基本不会增加复合，故而能有效提高电池效率。
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公开(公告)号：CN112701192A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110130686.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。
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公开(公告)号：CN118782682A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410859032.0
申请日：2024-06-28
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种光伏电池的金属化方法、光伏电池及其制备方法和组件。该金属化方法包括：准备表面有多晶硅层及钝化膜的硅基底；对钝化膜的局部区域开膜，以在钝化膜上形成若干裸露多晶硅层表面的开膜口；在开膜口处裸露的多晶硅层表面制备导电金属氧化物层(氧化钛层或氧化镍层)；印刷金属浆料，将金属浆料覆盖开膜口位置的导电金属氧化物层，再烧结，以在多晶硅层与导电金属氧化物层的界面处形成金属硅氧化物合金(钛硅氧化物合金和/或钛硅铝氧化物合金)，并形成覆盖导电金属氧化物层的金属电极。该金属化方法既能确保接触性能，又能大大降低接触面积、金属复合及接触电阻率，提升电池光电转换效率，工艺步骤更简单。
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公开(公告)号：CN113707570B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202110981214.1
申请日：2021-08-25
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种测试金属接触复合值的方法及网版图形，测试方法包括以下步骤：步骤一、制备待测硅片，在待测面形成不同金属占比的栅线图形；步骤二、测试待测硅片光致发光亮度图和中心圆区域光致发光亮度值；步骤三、测试中心圆区域的隐开路电压值，并计算得到校准常数；步骤四、通过校准常数计算得到不同金属占比区域对应的隐开路电压值；步骤五、通过不同金属占比区域对应的隐开路电压值计算不同金属占比区域的总暗态饱和电流密度值；步骤六、线性拟合金属占比与对应的总暗态饱和电流密度值，计算得到金属接触复合值。实现了待测硅片单面印刷且不需要去除金属栅线的情况下，精确测试金属接触复合值。
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公开(公告)号：CN116565062A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210112042.9
申请日：2022-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/768 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的制备工艺、电池、组件和系统，制备工艺包括：在硅衬底背面制备掺杂层；在掺杂层背面制备种子金属；进行第一次热处理，使种子金属的背面部分氧化为种子金属氧化物，并使种子金属与掺杂层在界面形成种子金属硅化物层；背面局域制备外金属，再进行第二次热处理，使种子金属完全氧化成种子金属氧化物，种子金属氧化物与外金属在界面形成混合导电层，远离混合导电层的种子金属氧化物形成种子金属氧化物薄层，远离混合导电层的外金属形成外金属层，未被外金属覆盖的种子金属氧化物形成钝化抗划层。该制备工艺无需额外制备钝化膜和激光开槽，所得太阳能电池不易被划伤，接触电阻率更低，防金属烧穿性能更好，能降低电池成本。
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