公开(公告)号：CN115274869B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202110484677.7

申请日：2021-04-30

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 沈承焕 ,  赵影文 ,  陈嘉 ,  季根华 ,  杜哲仁 ,  陆俊宇 ,  林建伟

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度。该极性相同的钝化接触结构能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，能提高其短路电流和双面率，进而能提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN115706172A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110897851.0

申请日：2021-08-05

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 沈承焕 ,  季根华 ,  赵影文 ,  杜哲仁 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该钝化接触太阳电池包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；背面钝化膜的厚度为40～110nm。该钝化接触太阳电池既能降低电池背面的光反射率，又能降低接触电阻，提高填充因子，且基本不会增加复合，故而能有效提高电池效率。

公开(公告)号：CN112768565B

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202110130675.8

申请日：2021-01-29

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 杜哲仁 ,  赵影文 ,  杨俊楠 ,  张志郢 ,  季根华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

Abstract: 一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜，非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺硼非晶硅薄膜；S4:对本征非晶硅薄膜进行硼掺杂处理，本征非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助硼掺杂处理中的退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；或对掺硼非晶硅薄膜进行退火处理，掺硼非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；S5:清洗BSG。本发明可省去单独制备SiOx层的工序，且带负电荷AlOx薄膜的存在可增强p‑poly硅的载流子选择性，从而增强钝化效果。

公开(公告)号：CN114078987A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010832845.2

申请日：2020-08-18

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 杜哲仁 ,  陆俊宇 ,  季根华 ,  马丽敏 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  C23C14/18 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明涉及一种钝化接触电池及制备方法和钝化接触结构制备方法及装置。该方法包括：S1、对基片预处理；S2、先将基片在PECVD工艺腔内沉积隧穿氧化层，再在PVD工艺腔内沉积掺杂非晶硅层；PECVD工艺腔内设第一气体，PVD工艺腔内设第二气体和靶材；靶材包含至少一个含掺杂源靶材，第二气体不包含掺杂源气体；或，靶材包含至少一个含掺杂源的靶材，第二气体包含掺杂源气体；或，靶材不包含含掺杂源的靶材，第二气体包含掺杂源气体；掺杂非晶硅层包括n层薄膜，n≥2，n层薄膜中至少包含一层掺杂层和一层非掺杂层；S3、对基片进行退火处理，形成掺杂多晶硅层，完成钝化接触结构制备。本发明在同一设备中连续完成隧穿氧化层及掺杂多晶硅层制备，简化了制备工艺。

公开(公告)号：CN113241308A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110481567.5

申请日：2021-04-30

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 杜哲仁 ,  黄策 ,  包杰 ,  陈嘉 ,  季根华 ,  陈程 ,  林建伟

IPC: H01L21/66 ,  G01N27/27 ,  G01R27/02

Abstract: 一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，包括以下步骤：S1.在同等工艺条件下制备具有TOPCon钝化接触结构的使用品和测定品，并在测定品上增设电介质层：使用品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层；测定品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的电介质层、隧穿氧化层和多晶硅层，使用品中的所述隧穿氧化层和多晶硅层分别与测定品中的隧穿氧化层和多晶硅层具有一致性；S2.对测定品和/或使用品进行数据测定，和/或对数据测定结果进行比对分析，得出最终测定结论。按照本发明提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：不受晶体硅衬底表面形貌影响、测定结果准确而且方便快捷。

公开(公告)号：CN112701192A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202110130686.6

申请日：2021-01-29

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 杜哲仁 ,  杨俊楠 ,  沈承焕 ,  赵影文 ,  季根华 ,  张志郢 ,  陈嘉 ,  林建伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。

公开(公告)号：CN110931596A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911050687.9

申请日：2019-10-31

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 林建伟 ,  陈嘉 ,  赵影文 ,  季根华 ,  黄思 ,  刘志锋 ,  张育政

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明涉及一种基于PVD技术制备钝化接触结构的方法。该方法包括：步骤(1)：清洗硅片表面；步骤(2)：在清洗后的硅片表面制备双面p+或双面n+掺杂区域；步骤(3)：将背面置于溶液中进行刻蚀处理；步骤(4)：在背面沉积隧穿氧化层；步骤(5)：采用PVD的方法在隧穿氧化层上沉积掺杂的非晶硅薄膜；步骤(6)：将硅片自然冷却至室温；步骤(7)：将冷却后的硅片进行快速热退火处理。本发明中的PVD法制备钝化接触结构能够很好地解决管式LPCVD带来的绕镀和不均匀问题，并彻底解决由绕镀造成的太阳电池EL和外观不良的问题，同时能够解决因绕镀的多晶硅层吸光造成的短路电流较低及不均匀引起的串联电阻增加问题。

公开(公告)号：CN110610997A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910873413.3

申请日：2019-09-17

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 林建伟 ,  陈嘉 ,  季根华 ,  刘志锋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种局部钝化接触结构的制备方法，包括生长隧穿氧化层及非晶硅层、非晶硅层上局部印刷掺杂浆料、高温退火与氧化、去除非掺杂区氧化层、利用碱刻蚀去除非掺杂区多晶硅层，形成局部钝化接触结构。本发明局部钝化接触结构极大拓展了钝化接触的应用范围，使其不再局限在受光面。同时，本发明局部钝化接触结构的制备方法，无需额外掩膜步骤即可形成局部结构，该方法工艺窗口大、易于实施，非常适合进行产业化推广。

公开(公告)号：CN106229351B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201610735515.5

申请日：2016-08-26

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 林建伟 ,  季根华 ,  刘志锋 ,  孙玉海 ,  刘勇 ,  张育政

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 本发明涉及一种背接触晶体硅太阳能电池及制备方法和组件、系统。本发明的背接触晶体硅太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的前表面从内到外依次为前表面氧化层、前表面n+掺杂多晶硅层和前表面减反膜，N型晶体硅基体的背表面从内到外依次为交替排列的背表面p+掺杂区域和背表面n+掺杂区域、背表面钝化膜和背表面金属电极。其有益效果是：采用n+掺杂多晶硅层作为背接触晶体硅太阳能电池的前表面场，可以为N型晶体硅基体表面提供优异的场钝化效果，降低了少数载流子在前表面的复合，从而提高背接触晶体硅太阳能电池的开路电压和短路电流，进而提高其能量转化效率。

公开(公告)号：CN108010991A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711371929.5

申请日：2017-12-19

Applicant: 泰州中来光电科技有限公司

Inventor： 林建伟 ,  李灵芝 ,  季根华 ,  刘志锋 ,  刘勇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/049 ,  H01L31/055

Abstract: 本发明涉及一种具有上转换功能的太阳电池背板、组件及制备方法。本发明的一种具有上转换功能的太阳能电池背板，包括常规背板和上转换涂层，所述上转换涂层涂覆在常规背板的表面。其有益效果是：本发明的具有上转换功能的太阳能电池背板可以将部分红外光转变为可以被硅电池所吸收的可见光；从而提高了硅电池对红外光的吸收利用率，降低了太阳能电池组件的效率损失，提高了整体效率；而本发明的具有上转换功能的太阳能组件可以将太阳光中波长大于1.1μm的不能被电池片所吸收利用的红外波段光线转换到可见光波段而被电池片所吸收利用，本发明的组件的短路电流Isc从10.92A提高到11.03A，组件转换效率从19.9％提高到20.1％。