-
公开(公告)号：CN110838536B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201911186619.5
申请日：2019-11-28
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H10F71/00 , H10F10/16 , H10F77/1223
Abstract: 本发明涉及一种具有多种隧道结结构的背接触太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括N型晶体硅基体，其前表面包含浅掺杂的n+表面场和钝化减反射薄膜，背表面包含P型发射极区域、N型背表面场区域、以及凹槽结构；P型发射极区域位于凹槽结构之中，N型背表面场区域位于凹槽结构之上；N型背表面场区域从内到外依次包括隧穿SiOX层、n+poly层、氧化层、n+poly层、隧穿SiOX层、以及p+poly层；SiOX层与n+poly层形成c‑Si/SiOX/n+poly隧道结，氧化层与n+poly层形成n+poly/Oxide/n+poly隧道结，隧穿SiOX层与p+poly层形成n+poly/SiOX/p+poly隧道结；P型发射极区域从内到外依次包括隧穿SiOx层和p+poly层，SiOX层与p+poly层形成c‑Si/SiOX/p+poly隧道结；P型发射极区域设有P型金属电极，N型背表面场区域设有N型金属电极。
-
公开(公告)号：CN115274869B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110484677.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种极性相同的钝化接触结构及电池、制备工艺；该极性相同的钝化接触结构包括硅衬底、设于硅衬底至少一面的电介质层、交替布置于电介质层表面的多晶硅层和第一多晶硅掺杂层、以及设于第一多晶硅掺杂层表面的第二多晶硅掺杂层；所述第一多晶硅掺杂层和第二多晶硅掺杂层的厚度之和大于所述多晶硅层的厚度，位于所述多晶硅层两侧的第一多晶硅掺杂层的掺杂极性相同，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度大于第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度。该极性相同的钝化接触结构能显著降低金属接触复合及接触电阻，应用于太阳能电池(如TOPCon电池)后，能提高其短路电流和双面率，进而能提高太阳能电池的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN115706172A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110897851.0
申请日：2021-08-05
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/054 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳电池及其制备方法、组件和系统。该钝化接触太阳电池包括硅基体，所述硅基体的正面依次设有p+发射极、正面钝化减反膜及设于p+发射极表面并延伸至正面钝化减反膜外的正面电极，所述硅基体的背面依次设有隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、背面钝化膜和背面电极，所述掺杂多晶硅层的表面为次级陷光结构，所述背面电极经背面钝化膜设置于所述次级陷光结构的表面；背面钝化膜的厚度为40～110nm。该钝化接触太阳电池既能降低电池背面的光反射率，又能降低接触电阻，提高填充因子，且基本不会增加复合，故而能有效提高电池效率。
-
公开(公告)号：CN112768565B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110130675.8
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜，非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺硼非晶硅薄膜；S4:对本征非晶硅薄膜进行硼掺杂处理，本征非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助硼掺杂处理中的退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；或对掺硼非晶硅薄膜进行退火处理，掺硼非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；S5:清洗BSG。本发明可省去单独制备SiOx层的工序，且带负电荷AlOx薄膜的存在可增强p‑poly硅的载流子选择性，从而增强钝化效果。
-
公开(公告)号：CN112701192A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110130686.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110931596A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911050687.9
申请日：2019-10-31
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种基于PVD技术制备钝化接触结构的方法。该方法包括：步骤(1)：清洗硅片表面；步骤(2)：在清洗后的硅片表面制备双面p+或双面n+掺杂区域；步骤(3)：将背面置于溶液中进行刻蚀处理；步骤(4)：在背面沉积隧穿氧化层；步骤(5)：采用PVD的方法在隧穿氧化层上沉积掺杂的非晶硅薄膜；步骤(6)：将硅片自然冷却至室温；步骤(7)：将冷却后的硅片进行快速热退火处理。本发明中的PVD法制备钝化接触结构能够很好地解决管式LPCVD带来的绕镀和不均匀问题，并彻底解决由绕镀造成的太阳电池EL和外观不良的问题，同时能够解决因绕镀的多晶硅层吸光造成的短路电流较低及不均匀引起的串联电阻增加问题。
-
公开(公告)号：CN115274871B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110486549.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。
-
公开(公告)号：CN116565060A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210112024.0
申请日：2022-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/768 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池的制备工艺、电池、组件和系统，该制备工艺包括：先在硅衬底的背面制备掺杂层；再在掺杂层的背面制备种子金属，其中，种子金属为钼、镍和钛中的一种或多种形成的合金；然后在种子金属的背面局域制备外金属，再进行热处理，以使种子金属与掺杂层的掺杂硅在界面形成种子金属硅化物层，并使种子金属与外金属在界面相互扩散形成混合导电层，而远离混合导电层的外金属形成外金属层，且未被外金属覆盖的种子金属氧化形成钝化抗划层。该制备工艺能减少背面电极的制备工序、无需额外增加制备钝化膜和激光开槽，且所得的太阳能电池不易被划伤、生产良率高，接触电阻率更低，进而降低电池生产成本及电极原料成本。
-
公开(公告)号：CN116565059A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210112013.2
申请日：2022-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L21/768 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池及其制备方法、组件和系统。该太阳能电池，包括硅衬底、依次叠设于硅衬底背面的掺杂层和钝化层，钝化层开有局域裸露掺杂层的电极槽，电极槽设有背面电极；背面电极包括依次叠设于局域裸露的掺杂层背面的种子金属硅化物层、种子金属氧化物薄层、混合导电层和外金属层；种子金属硅化物层为钼硅化物层、镍硅化物层和钛硅化物层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层为钼氧化物薄层、镍氧化物薄层和钛氧化物薄层中的一层或多层，种子金属氧化物薄层的厚度不大于20nm。该太阳能电池具有新的电极结构，能促进电极结构和性能的改进，并降低成本，该太阳能电池的新的电极结构的电流传输性能好，金属复合损失小。
-
公开(公告)号：CN112701192B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202110130686.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 泰州中来光电科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.036 seconds)
