发明公开
- 专利标题： 一种半导体器件及其制备方法
-
申请号： CN202211501996.5申请日： 2022-11-28
-
公开(公告)号： CN115763257A公开(公告)日： 2023-03-07
- 发明人: 张青竹 , 李恋恋 , 都安彦 , 殷华湘 , 曹磊
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 卫三娟
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，该器件包括：空气衬底，位于空气衬底表面一侧的纳米片堆叠层；纳米片堆叠层包括多个纳米片形成的叠层；纳米片由半导体材料形成；纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕纳米片堆叠层周围的环绕式栅极；源漏极，位于纳米片堆叠层两端；源漏极的材料为掺杂导电元素的半导体材料。从而本申请通过设置空气衬底，能够避免底部寄生沟道效应的影响，从而降低泄露电流和栅极电容的影响，能够进一步增加器件的电学性能。
IPC分类:
