本发明涉及一种屏蔽栅功率器件及其制备方法。屏蔽栅功率器件包括：半导体层；沟槽，位于半导体层内；屏蔽栅极，位于沟槽内，屏蔽栅极的上表面低于沟槽的顶面；栅极，位于沟槽内，且位于屏蔽栅极的上方，与屏蔽栅极具有间距；空气腔，位于沟槽内，且位于栅极和屏蔽栅极之间，以将栅极与屏蔽栅极隔离。本发明的屏蔽栅功率器件，通过在栅极和屏蔽栅极之间设置空气腔作为隔离层，由于空气具有很好的隔离耐压效果，且介电常数非常低，在确保器件的源漏间耐压的基础上，即可以显著提高器件的栅源间耐压，又可以大大降低栅源寄生电容Cgs，从而提高器件的开关速度，降低开关损耗。