发明公开
- 专利标题: 结型场效应器件及其制造方法
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申请号: CN202211223421.1申请日: 2022-10-08
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公开(公告)号: CN115799343A公开(公告)日: 2023-03-14
- 发明人: 刘建 , 税国华 , 何峥嵘 , 周远杰 , 刘青 , 阚玲 , 朱坤峰 , 黄磊 , 王鹏飞 , 赵明琪
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆中科渝芯电子有限公司
- 申请人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号;
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆中科渝芯电子有限公司
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆中科渝芯电子有限公司
- 当前专利权人地址: 重庆市南岸区南坪花园路14号;
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 唐勇
- 主分类号: H01L29/808
- IPC分类号: H01L29/808 ; H01L21/337
摘要:
本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法,在所述结型场效应器件中,沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区,即栅区结构为双层结构,在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂,形成了第二层多晶硅栅区,相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触,对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂,改善了栅极接触区域的导电性能,能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻,使得器件的漏电流降低,器件的阈值电压同样也得以降低,有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性;基于结构的规范设计,对应工艺可以采用全多晶自对准工艺,流程简单,且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。