-
公开(公告)号：CN115799343A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211223421.1
申请日：2022-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 , 重庆中科渝芯电子有限公司
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。
-
公开(公告)号：CN118539877A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410562385.4
申请日：2024-05-08
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种自适应压摆率增强差分输入级电路，包括导通控制模块、交叉耦合模块和电流镜模块；其中，导通控制模块连接电源端和交叉耦合模块，交叉耦合模块连接运算放大器的同相输入端和反相输入端，电流镜模块连接地端和交叉耦合模块；本发明基于双极工艺，采用改进型的压摆率增强输入级结构，在充分降低对输入失调电压、功耗、带宽等不利影响的同时，实现了压摆率10倍左右的增加。
-
公开(公告)号：CN116915198A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310907294.5
申请日：2023-07-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种采用差分转单端跨阻结构的对数放大器；包括主放大结构和差分转单端跨阻结构；其中主放大结构包括6个级联的限幅放大器，且每一个限幅放大器的输出连接一个整流器，每个整流器的输出与差分转单端跨阻输出结构相连；差分转单端跨阻输出结构包括多个电阻和多个NPN管；通过差分转单端跨阻输出结构可以实现差分电流转单端电压。
-
公开(公告)号：CN115051653A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210614253.2
申请日：2022-06-01
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及半导体集成电路设计技术领域，尤其涉及一种用于运算放大器的输入级跨导减小的电路，包括集电极交叉耦合差分输入对管、电流镜及恒流源，集电极交叉耦合差分输入对管用于将接收到的差分电压信号转换为电流信号，并通过多集电极对电流进行交叉耦合；电流镜用于对交叉耦合后的电流信号作差，并转化为单端电压信号作为输出；恒流源用于为集电极交叉耦合差分输入对管和电流镜提供恒定的偏置电流；本发明的通过集电极交叉耦合差分输入对管，电流镜及恒流源的结构设计，可以在保证不影响高频特性的同时，实现跨导的精确衰减，从而实现频率补偿电容的等比例缩小，减小芯片面积，降低成本。
-
公开(公告)号：CN111510089A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010361116.3
申请日：2020-04-30
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明公开了一种带旁路功能的低噪声放大模块及控制方法，属于单片射频/微波集成电路技术领域；所述一种带旁路功能的低噪声放大模块包括第一单刀双掷射频开关、第二单刀双掷射频开关以及低噪声放大器；第一单刀双掷射频开关的第一输出端与低噪声放大器输入端相连；第一单刀双掷射频开关的第二输出端与第二单刀双掷射频开关的第一输入端相连；低噪声放大器输出端与第二单刀双掷射频开关的第二输入端相连；本发明在低噪声放大器的基础上集成了两个射频开关，从而实现旁路功能。对于输入信号范围影响明显，本发明可以处理信号幅度低于低噪声放大器输入1dB压缩点信号外，也可以处理幅度大于输入1dB压缩点的信号，有效提升了系统的动态范围。
-
公开(公告)号：CN104993812B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510430671.6
申请日：2015-07-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种具有陷波器结构的高隔离度射频开关，它包括一个基本匹配式单刀单掷射频开关单元和一个桥T型陷波器单元。本发明在基本匹配式单刀单掷射频开关单元的基础上增加了电阻R7b、键合丝寄生电感L2b、键合丝寄生电感L4b和电感L3b。在射频开关为关断态时，电感L2b、电感L4b和电感L3b相串联形成的电感L2b+3b+4b和MOS管M1b、MOS管M2b在关断态时源漏极之间形成的寄生电容，与MOS管M4b在导通态时源漏极之间形成的寄生电阻和电阻R7b构成桥T型陷波器结构。通过调整桥T型陷波器电阻R7b和电感L3b的值可以有针对性的决定所需抑制频率，使用这种拓扑结构可以在选定频段获得比传统射频开关高10～15dB的隔离度。
-
公开(公告)号：CN104953996A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510367290.8
申请日：2015-06-29
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K17/687
摘要： 本发明提供一种高隔离度射频开关电路，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元，其在基本单刀单掷射频开关单元的参考地C点，通过键合丝寄生电感L1b串连电感L3b与地相连，形成直流通道，通过键合丝寄生电感L2b串连电容C1b与地相连，电感L1b串连电感L3b与通过键合丝L2b与参考地C点连接的电容C1b并联，形成滤波器。因此，在不影响射频开关到地直流通路的情况下，通过将键合丝寄生电感L1b吸收进滤波器，降低了键合丝寄生参数对射频开关隔离度的影响，通过调整滤波器的电感L3b和电容C1b值，可以有针对性的提高射频开关在不同频率下的隔离度。与传统射频开关比较，本发明的高隔离度射频开关隔离度可以提高5～10dB，同时不会影响射频开关插入损耗等电特性。
-
公开(公告)号：CN118971817A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411147443.3
申请日：2024-08-21
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明涉及半导体集成电路设计领域，具体涉及一种大输出电流互补推挽电路，包括核心电路，具有接收节点和输出节点，用于通过接收节点接收前级电路提供的输入信号，通过输出节点提供输出电压VOUT；正向驱动电路，用于向核心电路动态增加正向驱动电流；负向驱动电路，用于向核心电路动态增加负向驱动电流；本发明基于双极工艺，采用改进型的大电流AB类推挽输出结构，在保持输出幅度和功耗基本不变的同时，实现了输出电流约5倍的提升，而芯片面积仅仅增加约15％。
-
公开(公告)号：CN118573129A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410766360.6
申请日：2024-06-14
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于集成电路领域，特别涉及一种适用于高增益级联的带宽限幅放大器，包括第一放大单元、第二放大单元和缓冲单元；其中，第一放大单元连接第二放大单元，第二放大单元连接缓冲单元；本发明将单级限幅放大器拆分为两级放大单元，在总增益不变的情况下，降低了单级增益，提高单级带宽，级联后总带宽有提高的作用；同时由于第二放大单元的增益降低，也降低了密勒效应对晶体管Q5的CB结电容放大倍数，提高第一放大单元带宽。
-
公开(公告)号：CN110247651B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910603255.X
申请日：2019-07-05
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/173 , H03K17/567 , H03K17/74
摘要： 本发明提供一种基于GaAs HEMT工艺的正压转负压逻辑电路，本发明的正压转负压逻辑电路通过输入电平位移电路单元、缓冲电路单元、同相逻辑输出电路单元及反相逻辑输出电路单元的结构设计，就可以将输入的正压逻辑信号转换为输出互补(一同相、一反相)的两个负压逻辑信号，转换结构简单，转换效率高；且各电路单元均基于GaAs HEMT工艺设计，使得该正压转负压逻辑电路能与射频开关、数控衰减器、数控移相器等单片微波集成电路直接单元芯片集成，促进了单片微波集成电路系统应用的简化、小型化，并降低了其功耗。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
42 条记录 (耗时 0.061 秒)
