公开(公告)号：CN111933694B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202010582154.1

申请日：2020-06-23

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  林涛 ,  欧红旗 ,  冯志成 ,  阚玲 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王飞 ,  张剑乔 ,  张培健

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337

摘要： 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。

公开(公告)号：CN114093936B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN115241131A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210935982.8

申请日：2022-08-05

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 殷万军 ,  杨永晖 ,  刘玉奎 ,  钟怡 ,  朱坤峰 ,  龚榜华 ,  曹依琳 ,  谭开洲 ,  黄磊

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开多层栅模拟CMOS工艺边缘应力优化集成方法和低电压系数多晶电容器，方法步骤包括：1)形成低电压系数集成双多晶电容器区的N型阱，在N型阱以外区域形成自对准P型阱；2)淀积低电压系数集成双多晶电容器下电极多晶膜层；3)淀积双多晶电容器第一层介质，并实现双多晶电容器下电极边缘保护层制作；4)淀积电容器介质层，并完成电容器介质层结构制作；低电压系数多晶电容器包括P型衬底、P型外延层、N型阱、自对准P型阱、场氧化层、牺牲氧化层、栅氧化层、多晶膜层、二氧化硅介质层、电容介质层、低介电系数填充膜层、金属互连膜层、顶层金属键合区外保护介质钝化层；本专利改善了双多晶电容器的边缘效应，降低了可集成双多晶电容器的机械应力。

公开(公告)号：CN111933694A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010582154.1

申请日：2020-06-23

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  林涛 ,  欧红旗 ,  冯志成 ,  阚玲 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王飞 ,  张剑乔 ,  张培健

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337

摘要： 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。

公开(公告)号：CN115799343A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211223421.1

申请日：2022-10-08

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  重庆中科渝芯电子有限公司

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  何峥嵘 ,  周远杰 ,  刘青 ,  阚玲 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。

公开(公告)号：CN114093936A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN115189679A

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202210593766.X

申请日：2022-05-27

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 黄磊 ,  税国华 ,  付晓伟 ,  林涛 ,  王志宽 ,  王飞 ,  李智囊 ,  冉明 ,  常小宇 ,  汪璐

IPC分类号： H03K5/15

摘要： 本发明适用于集成电路技术领域，提供一种时钟控制信号产生电路及方法，其中，该方方法包括：对N个供电电源进行检测，得到并输出N个一一对应的第一复位信号，其中，N为大于等于2的整数；将N个所述第一复位信号转换为目标电源域内一一对应的N个第二复位信号；对N个所述第二复位信号进行逻辑运算，得到时钟控制信号，所述时钟控制信号用于对N个所述供电电源进行同步控制，解决了由多个电源上电、掉电的不同步所导致的电路稳定性低等问题。

公开(公告)号：CN115084137A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210861707.6

申请日：2022-07-20

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 张广胜 ,  朱坤峰 ,  杨永晖 ,  徐青 ,  张培健 ,  钱呈 ,  钟怡 ,  杨法明 ,  裴颖 ,  黄磊 ,  任芳 ,  邱盛

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L23/552 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明提供一种抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构及其制造方法，在本发明中，采用集成抗辐射的双栅氧化层工艺，在一个衬底上同时形成低压NMOS结构、低压PMOS结构、高压对称nLDMOS结构、高压非对称nLDMOS结构、高压对称pLDMOS结构、高压非对称pLDMOS结构、多晶高值电阻结构、MOS电容结构，实现了成套抗辐射高低压兼容模拟CMOS器件集成结构，通过双栅氧化层工艺，采用了硅栅自对准注入的工艺方式，在多晶栅刻蚀之后再形成源漏，匹配全流程热预算设计，形成的低压NMOS结构和高压nLDMOS结构具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低的漏电和较小的阈值电压漂移，有效解决了宇航用抗辐射高低压CMOS类产品工艺制造难题。

公开(公告)号：CN113451216A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110719199.3

申请日：2021-06-28

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 朱坤峰 ,  张广胜 ,  杨永晖 ,  徐青 ,  钟怡 ,  钱呈 ,  张培健 ,  杨法明 ,  裴颖 ,  黄磊

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L23/552 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

摘要： 本发明公开一种成套硅基抗辐射高压CMOS器件集成结构及制造方法，器件集成结构包含：对称/非对称nLDMOS、对称/非对称pLDMOS、多晶高阻、MOS电容等器件。制造方法是在P型衬底上先形成N型埋层，生长外延层，在外延层上注入推阱形成N型和P型高压阱，其中N型高压阱形成nLDMOS漂移区和pLDMOS沟道，P型高压阱形成pLDMOS漂移区和nLDMOS沟道，生长抗辐射加固厚栅氧化层，匹配全流程工艺热预算，形成一种硅基抗辐射高压CMOS工艺平台。本发明制造的nLDMOS具有优异的抗总剂量辐射性能，辐射后器件具有极低器件漏电和较小阈值电压漂移量，解决了高栅压CMOS类产品辐射加固的工艺制造难题。

公开(公告)号：CN114421760A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210044589.X

申请日：2022-01-14

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 钟怡 ,  杨法明 ,  黄磊 ,  王磊 ,  韩卫敏 ,  裴颖 ,  梁康弟 ,  李新星 ,  张俊安

IPC分类号： H02M3/07

摘要： 本发明提供了一种时间交织电荷泵内电源产生电路，所述时间交织电荷泵内电源产生电路包括第一控制信号产生模块、第二控制信号产生模块、时间交织电荷泵模块及电压跟随器模块。本发明的时间交织电荷泵内电源产生电路，通过时间交织电荷泵模块在每个周期内交替产生输出稳定的且大于电源电压的内部电源，对电源电压进行提升后输出，可有效实现后级运算放大器的轨到轨输入；通过电压跟随器模块构成的反馈使内部电源在时间交织电荷泵模块的交替切换时保持稳定连续，提高了内部电源的稳定性，减小了内部电源的电压跳动。