公开(公告)号：CN114093936B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN115799343A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211223421.1

申请日：2022-10-08

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  重庆中科渝芯电子有限公司

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  何峥嵘 ,  周远杰 ,  刘青 ,  阚玲 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。

公开(公告)号：CN114093936A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN115295627B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202211028299.2

申请日：2022-08-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  李孝权 ,  徐学良 ,  王颖 ,  江永清 ,  王育新 ,  李光波 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  吴健 ,  李儒章 ,  王志宽 ,  邱盛 ,  张培健 ,  张正元 ,  刘玉奎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。

公开(公告)号：CN114665834A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210373560.6

申请日：2022-04-11

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 杨永晖 ,  朱坤峰 ,  杨法明 ,  刘玉奎 ,  黄文海 ,  黄东 ,  钱呈 ,  张金龙 ,  王鹏飞 ,  陈俊

IPC分类号： H03F3/45

摘要： 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过输入差分对模块与尾电流源模块、电流镜模块的配合设计，使得输入差分对模块可以利用MOS管自身的体效应实现输入信号的轨到轨输入乃至超过电源轨范围输入，输入信号的电压范围宽，不需要设计恒定跨导匹配电路，能有效避免现有输入轨到轨运算放大器电路的输入级中需要使用两对类型不同的输入管、需要对输入管进行跨导匹配而多设计的恒定跨导匹配电路，所带来的电路及版图的规模面积增加，以及对称性、匹配性下降问题。

公开(公告)号：CN112349786A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011233504.X

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  杨永晖 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种介质共用的电阻场板场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的介质共用的电阻场板场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件超越摩尔的发展方向。

公开(公告)号：CN114665834B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202210373560.6

申请日：2022-04-11

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 杨永晖 ,  朱坤峰 ,  杨法明 ,  刘玉奎 ,  黄文海 ,  黄东 ,  钱呈 ,  张金龙 ,  王鹏飞 ,  陈俊

IPC分类号： H03F3/45

摘要： 本发明提供一种轨到轨输入级电路及运算放大器，所述轨到轨输入级电路包括输入差分对模块、尾电流源模块、共栅模块、共栅负载模块、电流镜模块及偏置电流源模块，输入差分对模块利用MOS管自身的体效应实现轨到轨输入。在本发明中，通过输入差分对模块与尾电流源模块、电流镜模块的配合设计，使得输入差分对模块可以利用MOS管自身的体效应实现输入信号的轨到轨输入乃至超过电源轨范围输入，输入信号的电压范围宽，不需要设计恒定跨导匹配电路，能有效避免现有输入轨到轨运算放大器电路的输入级中需要使用两对类型不同的输入管、需要对输入管进行跨导匹配而多设计的恒定跨导匹配电路，所带来的电路及版图的规模面积增加，以及对称性、匹配性下降问题。

公开(公告)号：CN108962918B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201810635417.3

申请日：2018-06-20

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 张培健 ,  王鹏飞 ,  陈文锁 ,  袁浚 ,  朱坤峰 ,  陈仙 ,  徐代果

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/06 ,  H01L21/84 ,  H01L21/683

摘要： 本发明提供一种基于SOI CMOS的电子器件、制备方法以及剥离方法，基于SOI CMOS的电子器件上设有多个剥离槽，所述剥离槽贯穿所述基于SOI CMOS的电子器件，不仅便于基于SOI CMOS的电子器件的制造，而且在减少弯折时的应力，防止基于SOI CMOS的电子器件损坏，通过开设剥离槽且将剥离槽贯通至埋氧化层，并对埋氧化层进行腐蚀处理，将埋氧化层腐蚀，进而使得基于SOI CMOS的电子器件脱离衬底基板，基于SOI CMOS的电子器件在支撑架的支撑下形成悬空结构，降低了制造工艺难度、减少制造成本，通过PDMS印章将电子器件剥离至目标基底。

公开(公告)号：CN112349785A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011232183.1

申请日：2020-11-06

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  张嘉浩 ,  杨永晖 ,  李孝权 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  李光波 ,  蒋和全 ,  张培健 ,  邱盛 ,  陈良 ,  崔伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40

摘要： 本发明提供了一种电阻场板电导调制场效应MOS器件及其制备方法，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件，在槽栅MOS器件的基础上，于漂移区中增设一个同时与槽栅结构和漏极结构电连接的半绝缘电阻场板，在槽栅结构控制MOS沟道的通断的同时，通过半绝缘电阻场板调节漂移区中的杂质浓度，进而调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，可以获得更低的导通电阻特性；同时，本发明提供的电阻场板电导调制场效应MOS器件制备方法，在工艺上采用了基于深槽刻蚀的现代2.5维立体加工工艺，利于结构小型化设计和高密度化设计，更适应现代集成半导体器件More than Moore(超越摩尔)的发展方向。

公开(公告)号：CN115295627A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202211028299.2

申请日：2022-08-25

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 谭开洲 ,  肖添 ,  李孝权 ,  徐学良 ,  王颖 ,  江永清 ,  王育新 ,  李光波 ,  王鹏飞 ,  裴颖 ,  吴健 ,  李儒章 ,  王志宽 ,  邱盛 ,  张培健 ,  张正元 ,  刘玉奎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供了一种高压功率半导体器件及其制造方法，在外延层的终端区中设置多个沿第一方向贯穿外延层延伸至衬底中的第二电阻场板结构，且各个第二电阻场板结构在第一平面内同心地断续环绕有源区设置，各个第二电阻场板结构与其上的第三电阻场板结构构成π型组合电阻场板结构，在施加电压时，各个紧耦合的第二电阻场板结构形成向四周开放式发散的均匀的三维电场分布，优化了终端区对有源区中空间耗尽区电荷的引导束缚效果，进而提高了整个功率半导体器件的耐压性能，且形成的三维电场存在缝隙缺口，能适当地保持电力线连续，不至于让电场过度集中，提高了终端区及整个高压功率半导体器件的结构稳定性。