公开(公告)号：CN111933694B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202010582154.1

申请日：2020-06-23

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  林涛 ,  欧红旗 ,  冯志成 ,  阚玲 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王飞 ,  张剑乔 ,  张培健

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337

摘要： 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。

公开(公告)号：CN114093936B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN114091397B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202111319388.8

申请日：2021-11-09

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 杨法明 ,  朱坤峰 ,  欧宏旗 ,  钟怡 ,  税国华 ,  徐磊 ,  殷万军 ,  张广胜

IPC分类号： G06F30/392

摘要： 本发明公开一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法，电阻版图排布结构包括两个阻值不同的电阻阵列；修调方法步骤为：1)量测第一电阻阵列的实际阻值；2)设定第二电阻阵列的修调目标值，记为N*R；3)量测第二电阻阵列的实际阻值；4)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的粗调区域进行激光修调；6)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的细调区域进行激光修调，并返回步骤7)。本发明通过对两个电阻的版图特殊排布，降低两个电阻在工艺加工过程中的偏差，提高两个电阻的初始匹配度，可以在仅修调一个电阻和较小的电阻修调面积下，达到较高的电阻匹配度和降低了修调成本，提高了电阻稳定性。

公开(公告)号：CN114091397A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111319388.8

申请日：2021-11-09

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 杨法明 ,  朱坤峰 ,  欧宏旗 ,  钟怡 ,  税国华 ,  徐磊 ,  殷万军 ,  张广胜

IPC分类号： G06F30/392

摘要： 本发明公开一种应用于高精度高共模差动放大器的电阻版图排布结构及修调方法，电阻版图排布结构包括两个阻值不同的电阻阵列；修调方法步骤为：1)量测第一电阻阵列的实际阻值；2)设定第二电阻阵列的修调目标值，记为N*R；3)量测第二电阻阵列的实际阻值；4)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的粗调区域进行激光修调；6)对第二电阻阵列中可修调背包电阻RN的细调区域进行激光修调，并返回步骤7)。本发明通过对两个电阻的版图特殊排布，降低两个电阻在工艺加工过程中的偏差，提高两个电阻的初始匹配度，可以在仅修调一个电阻和较小的电阻修调面积下，达到较高的电阻匹配度和降低了修调成本，提高了电阻稳定性。

公开(公告)号：CN111933694A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010582154.1

申请日：2020-06-23

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  林涛 ,  欧红旗 ,  冯志成 ,  阚玲 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王飞 ,  张剑乔 ,  张培健

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337

摘要： 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。

公开(公告)号：CN118315385A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410477721.5

申请日：2024-04-19

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  赵明琪 ,  税国华 ,  刘青 ,  阚玲 ,  杨法明 ,  肖添 ,  路婉婷 ,  陈俊吉

IPC分类号： H01L27/082 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8222

摘要： 本发明公开一种高中低压兼容的双极结型晶体管及其制造方法，双极结型晶体管包括P型衬底、N型一次埋层、P型一次穿透隔离、N型一次外延层、N型二次埋层、P型二次穿透隔离、N型一次穿透、N型二次外延层、N型三次埋层、P型三次穿透隔离、N型二次穿透、N型三次外延层、P型四次穿透隔离、N型三次穿透、P型一次体区、N型一次重掺区、P型二次体区、N型二次重掺区、P型三次体区、N型三次重掺区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射极金属、集电极金属和基极金属；方法包括提供P型衬底，生长氧化层等步骤。本发明可以将高中低的耐压以及不同特征频率等特性的双极结型晶体管集成整合到同一套工艺中，实现器件库的多样性。

公开(公告)号：CN117594439A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311578333.8

申请日：2023-11-24

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 阚玲 ,  刘建 ,  税国华 ,  刘青 ,  刘娇 ,  龚榜华 ,  谢迪

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/027 ,  H01L21/265 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L29/866

摘要： 本发明公开高压双极工艺集成隐埋齐纳管制造方法，包括如下步骤：1)掺杂形成第二导电类型埋层；2)环绕所述第二导电类型埋层，掺杂形成第一导电类型埋层；3)形成第二导电类型外延层；4)掺杂形成第一导电类型隔离结；5)形成齐纳二极管场区；6)形成齐纳二极管阴极；7)环绕齐纳二极管阴极，推结形成环状齐纳二极管阳极引出端Plink；8)形成齐纳二极管阴极引出端Nlink；9)形成齐纳二极管隐埋型的阳极；10)形成齐纳二极管的金属电极和玻璃钝化层。本发明可在高压双极工艺中实现一种击穿电压值可调，齐纳击穿区在硅体内，内阻小，热稳定性与长期工作稳定性较优的集成隐埋齐纳二极管。

公开(公告)号：CN115799343A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211223421.1

申请日：2022-10-08

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 ,  重庆中科渝芯电子有限公司

发明人： 刘建 ,  税国华 ,  何峥嵘 ,  周远杰 ,  刘青 ,  阚玲 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： 本发明提供了一种结型场效应器件及其制造方法，在所述结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。

公开(公告)号：CN114093936A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111145870.4

申请日：2021-09-28

申请人： 重庆中科渝芯电子有限公司 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 刘建 ,  张培健 ,  税国华 ,  刘青 ,  朱坤峰 ,  黄磊 ,  王鹏飞 ,  赵明琪

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，晶体管包括P型衬底、N型埋层、N型外延层、N型穿透区、场氧层、预氧层、P型基区、TEOS金属前介质层、多晶硅集电极、多晶硅基极、多晶硅发射极、注入发射区、注入集电区、注入基区、集电极金属、基极金属和发射极金属。本发明提出一种亚微米多晶硅发射极双极结型晶体管及其制造方法，具体为一种P‑衬底的基础上，淀积一层N‑外延层，在外延层中做P基区，在P基区中形成多晶硅发射极，具有工艺过程简单、节省成本、对晶体管小电流下放大能力有明显的提升等优点。

公开(公告)号：CN1670946A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510052287.3

申请日：2005-02-16

申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所

发明人： 徐世六 ,  张正元 ,  刘玉奎 ,  胡永贵 ,  税国华

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L27/04

摘要： 本发明涉及一种高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造方法。该方法步骤包括：首先利用硅/硅键合、减薄抛光技术方法获得所需要的SOI片，然后在SOI材料片上通过深槽刻蚀、多晶硅回填的介质隔离技术方法结合纵向PNP与纵向NPN兼容的双极工艺进行所述的高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的制造。该方法制造的电源电路不仅消除了PN结隔离所带来的PN结漏电不能满足特殊场合需要的缺点，同时元器件到隔离的距离可以大幅度降低，缩小了芯片面积，从而芯片成品率得到了提高，是一种制造高压大功率低压差线性集成稳压电源电路的理想制造方法。