本申请的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体结构。根据本公开的形成半导体器件的方法包括接收工件，该工件包括设置在第一有源区域上方的第一栅极结构、设置在第二有源区域上方的第二栅极结构、沿着第一栅极结构的侧壁延伸并且至少部分地设置在第一有源区域的顶表面上方的第一栅极间隔件、沿着第二栅极结构的侧壁延伸并且至少部分地设置在第二有源区域的顶表面上方的第二栅极间隔件、以及源极/漏极部件。该方法还包括用远程氢或氧自由基处理第一栅极间隔件的部分和第二栅极间隔件的部分，去除处理的部分，并且在去除之后，在源极/漏极部件上方沉积金属填充材料。