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公开(公告)号：CN114038899B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202111128744.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹槽。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括：在S/D凹槽中沉积绝缘介电层；在绝缘介电层的底部上方沉积蚀刻保护层；以及部分去除绝缘介电层。该方法还包括在S/D凹槽中生长外延S/D部件。绝缘介电层的底部介于外延S/D部件和衬底之间。本申请的实施例涉及多栅极半导体器件及半导体器件的其形成方法。
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公开(公告)号：CN117276343A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311106502.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08
Abstract: 根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部分上；以及隔离结构，设置在S/D区和鳍状基底的第二部分之间。隔离结构包括：未掺杂的半导体层，设置在鳍状基底的第二部分上；富硅介电层，设置在未掺杂的半导体层上；以及气体间隔件，设置在富硅介电层上。
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公开(公告)号：CN113540087A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110660780.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体结构，包括：隔离结构；第一源极/漏极部件(S/D)以及第二源极/漏极部件，在隔离结构上，定义第一方向，在俯视图中，第一方向从第一源极/漏极部件至第二源极/漏极部件；一个或多个通道层，连接第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件；栅极结构，在第一源极/漏极部件以及第二源极/漏极部件之间，且齿合每个通道层；以及导孔结构，在第一源极/漏极部件下方，且电性连接至第一源极/漏极部件。在垂直于第一方向的剖面图中，导孔结构具有轮廓，轮廓沿着由下至上的方向由宽至窄。
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公开(公告)号：CN102315127B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010569552.6
申请日：2010-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/092 , H01L27/088 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体装置与半导体元件的制法，制法包括：形成第一与第二凸起；形成第一结构占据第一凸起，且包括一非金属导电层，以及第一开口位于导电层之上；形成第二结构占据第二凸起，且包括：第二开口；以及顺应性沉积纯金属于第一开口与第二开口中。半导体装置包括：第一元件包括第一凸起与第一栅极结构，第一凸起从基板向上延伸，且第一栅极结构占据第一凸起，且包括一开口，且一顺应性纯金属设置于开口中；以及一第二元件包括第二凸起与第二栅极结构，第二凸起从基板向上延伸，且第二栅极结构占据第二凸起，且包括一硅化物，此硅化物包括金属，此金属与沉积于开口中的金属相同。本发明可提高元件性能。
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公开(公告)号：CN113363205B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110221056.X
申请日：2021-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 公开了包括具有增大的背面部分的背面通孔的半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种器件包括：第一晶体管结构，在第一器件层中；正面互连结构，在第一器件层的正面上；第一介电层，在第一器件层的背面上；第一接触件，穿过第一介电层延伸到第一晶体管结构的源极/漏极区；以及背面互连结构，在第一介电层和第一接触件的背面上，第一接触件包括具有第一锥形侧壁的第一部分和具有第二锥形侧壁的第二部分，第一锥形侧壁的宽度在朝着第二锥形侧壁的方向上变窄，并且第二锥形侧壁的宽度在朝向背面互连结构的方向上变宽。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116682730A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310306056.9
申请日：2023-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了多栅极晶体管结构及其形成方法。根据本发明的形成半导体结构的方法包括在衬底上方形成鳍状结构并包括由牺牲层交错的沟道层，使鳍状结构凹进以形成源极/漏极凹槽，使牺牲层的侧壁凹进以形成内部间隔件凹槽，在衬底和内部间隔件凹槽上方沉积介电层，在介电层上方沉积聚合物层，回蚀刻聚合物层和介电层以在内部间隔件凹槽中形成北部间隔件部件并且在衬底的部分上方形成内部间隔件层，以及从多个沟道层的侧壁外延沉积多于一个外延层，以在源极/漏极凹槽中形成源极/漏极部件。源极/漏极部件和内部间隔件层限定间隙。本发明实施例还提供了半导体结构。
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公开(公告)号：CN115083915A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210409098.0
申请日：2022-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/78
Abstract: 一种形成半导体装置的方法，包括：对鳍片堆叠执行第一蚀刻工艺，以形成位于第一深度的第一凹槽与第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽在栅极结构的两侧，栅极结构在鳍片堆叠上。方法还包括在第一凹槽与第二凹槽之中沉积内间隔物。方法还包括在沉积内间隔物之后，执行第二蚀刻工艺以延伸第一凹槽的深度至第二深度。方法还包括在第一凹槽之中形成虚设接触区；在虚设接触区上在第一凹槽之中形成源极结构；以及在第二凹槽之中形成漏极结构。
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公开(公告)号：CN115083904A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210505638.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 公开半导体装置与其制造方法。例示性的制造方法包括接收基板，其包含半导体材料堆叠形成其上，其中半导体材料堆叠包括第一半导体材料的第一半导体层与第二半导体材料的第二半导体层，且第二半导体材料不同于第一半导体材料。图案化半导体材料堆叠以形成沟槽。图案化步骤包括以第一蚀刻剂进行第一时间的第一蚀刻工艺；并以第二蚀刻剂进行第二时间的第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻剂不同于第一蚀刻剂，且第二时间大于第一时间。重复数次的第一蚀刻工艺与第二蚀刻工艺。接着外延成长第一半导体材料的第三半导体层于沟槽的侧壁上。
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公开(公告)号：CN114823537A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210218242.2
申请日：2022-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括鳍状结构，其沿着第一方向纵向延伸。鳍状结构包括半导体层堆叠物，半导体层堆叠物的多个半导体层沿着正交于第一方向的第二方向逐一堆叠。装置亦包括第一掺杂物形式的第一源极/漏极部件，在鳍状结构上并与半导体层堆叠物隔开。装置还包括第二掺杂物形式的第二源极/漏极部件，在鳍状结构上，沿着第二方向在第一源极/漏极部件的上方并连接于半导体层堆叠物。第一掺杂物形式不同于第二掺杂物形式。此外，装置又包括隔离部件，介于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间。
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公开(公告)号：CN113224055A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110449240.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 集成电路(IC)结构包括栅极结构、源极外延结构、漏极外延结构、前侧互连结构、背侧介电层和背侧通孔。源极外延结构和漏极外延结构分别位于栅极结构的相对侧上。前侧互连结构位于源极外延结构的前侧和漏极外延结构的前侧上。背侧介电层位于源极外延结构的背侧和漏极外延结构的背侧上，并且背侧介电层中具有气隙。背侧通孔穿过背侧介电层延伸至源极外延结构和漏极外延结构中的第一个。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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