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公开(公告)号：CN120091596A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202510137705.6
申请日：2025-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括隔离部件、延伸穿过所述隔离部件并上升至所述隔离部件上方的第一基鳍和第二基鳍、设置在第一基鳍上方的第一有源区、设置在第二基鳍上方的第二有源区、设置在第一有源区、第二有源区和隔离部件上方的栅极结构，以及夹在栅极结构和隔离部件之间的保护层。
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公开(公告)号：CN113284849B
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202110195656.3
申请日：2021-02-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括提供一种结构，该结构具有在衬底上方的第一鳍和第二鳍并且通常沿着第一方向纵向定向和第一鳍和第二鳍上方的源极/漏极(S/D)部件；形成覆盖S/D部件的层间介电(ILD)层；至少对S/D部件之间的区域执行第一蚀刻工艺，从而在ILD层中形成沟槽；在沟槽中沉积介电材料；执行第二蚀刻工艺以选择性地使介电材料凹进；然后执行第三蚀刻工艺以选择性地使ILD层凹进，从而形成暴露S/D部件的接触孔。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体器件。
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公开(公告)号：CN118571841A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410386367.5
申请日：2024-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供半导体装置及其方法，依据本发明实施例的例示性方法包含在基底上方形成半导体鳍；在基底上方形成介电层，其中介电层包含沿半导体鳍的侧壁表面延伸的第一部分及设置于半导体鳍上方的第二部分，介电层的第二部分的厚度大于介电层的第一部分的厚度，在基底上方形成虚设栅极电极层，将介电层及虚设栅极电极层图案化，以在半导体鳍的通道区上方形成虚设栅极结构，形成源极/漏极部件耦接半导体鳍的通道区并相邻于虚设栅极结构，以及以栅极堆叠物取代虚设栅极结构。
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公开(公告)号：CN111200023B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201911128131.7
申请日：2019-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 形成集成电路结构的方法包括：形成突出高于隔离区域的顶面的半导体鳍。半导体鳍的顶部由第一半导体材料形成。在半导体鳍的顶面和侧壁上沉积半导体覆盖层。半导体覆盖层由与第一半导体材料不同的第二半导体材料形成。该方法还包括在半导体覆盖层上形成栅极堆叠件，在栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，蚀刻栅极堆叠件的侧上的半导体鳍的部分，以形成延伸至半导体鳍中的第一凹槽，使半导体覆盖层凹进，以形成位于栅极间隔件的部分正下方的第二凹槽，以及实施外延以生长延伸至第一凹槽和第二凹槽中的外延区域。本发明的实施例还涉及集成电路器件。
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公开(公告)号：CN115832049A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211068998.X
申请日：2022-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 方法包括：形成从衬底突出的半导体鳍；横跨半导体鳍形成伪栅极结构；使半导体鳍的位于与伪栅极结构相邻的区域中的部分凹进以形成凹槽；在凹槽中生长半导体层；以及形成介于半导体层和伪栅极结构之间的第一介电层。半导体层覆盖第一介电层的至少部分。方法也包括：修改半导体层的形状以暴露第一介电层的部分；沉积覆盖半导体层和第一介电层的部分的第二介电层；以及利用金属栅极结构替换伪栅极结构。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114975278A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210276255.5
申请日：2022-03-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供一种集成电路，包括基板上的第一纳米结构晶体管以及第二纳米结构晶体管。第一纳米结构晶体管的源极/漏极区域通过底部介电区域与半导体基板电性隔离。第二纳米结构晶体管的源极/漏极区域与半导体基板直接接触。
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公开(公告)号：CN114883389A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210329596.4
申请日：2022-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体裝置，包括源极/漏极部件，位于半导体基板之上；通道层，位于半导体基板之上，且连接至源极/漏极部件；栅极部分，位于垂直邻近通道层之间；以及内间隔物，位于源极/漏极部件与栅极部分之间，以及邻近通道层之间，以及空气间隙，位于内间隔物及源极/漏极部件之间。
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公开(公告)号：CN114883257A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210094605.6
申请日：2022-01-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 实施例在形成纳米结构场效晶体管装置时，采用两层的内侧间隔物结构。可选择第一内侧间隔物层与第二内侧间隔物层的材料，以具有不匹配的热膨胀系数。一旦沉积后冷却结构，具有较大热膨胀系数的内侧间隔物层将施加压缩应力于其他内侧间隔物层(因为两层具有一般界面)，而具有较小热膨胀系数的层将施加反作用的拉伸应力。
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公开(公告)号：CN114864499A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210113669.6
申请日：2022-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构的形成方法，此处公开多栅极装置与其制作方法。例示性的方法包括形成半导体堆叠于基板上，其中半导体堆叠包括交错的第一半导体层与第二半导体层，且第一半导体层的组成不同于第二半导体层的组成；图案化半导体堆叠以形成半导体鳍状物；形成介电鳍状物以与半导体鳍状物相邻；形成第一栅极堆叠于半导体鳍状物与介电鳍状物上；蚀刻至源极/漏极区中的半导体鳍状物的一部分，以形成源极/漏极凹陷；以及外延成长源极/漏极结构于源极/漏极凹陷中，以定义跨越源极/漏极结构的侧壁与介电鳍状物的侧壁之间的气隙。
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公开(公告)号：CN113394167A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110139580.2
申请日：2021-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括蚀刻衬底上方的两个源极/漏极区以形成两个源极/漏极沟槽；在两个源极/漏极沟槽中分别外延生长两个源极/漏极部件；对两个源极/漏极部件执行切割工艺；以及在切割工艺之后，在两个源极/漏极部件上方沉积接触蚀刻停止层(CESL)。本申请的实施例还提供一种半导体器件。
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