本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，器件包括：衬底，衬底上形成有IGBT器件的发射极、IGBT栅极和集电极；虚设栅极，设置于栅极和发射极之间；NMOS管，NMOS管设置于衬底上，且设置于IGBT栅极和虚设栅极之间，NMOS管的源极和栅极与IGBT栅极电连接，漏极与虚设栅极电连接；PMOS管，PMOS管设置于衬底上，且设置于虚设栅极和发射极之间，PMOS管的源极与虚设栅极电连接，漏极与发射极电连接，栅极通过电感与发射极电连接。本发明通过在器件不同工作状态(导通状态和开通过程)时控制虚设栅极的电位的变化，可以有效改善器件发热，提升功率密度，进而提升器件性能，使IGBT器件可用于更高频率的应用。