发明公开
- 专利标题: 一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法
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申请号: CN202211464993.9申请日: 2022-11-22
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公开(公告)号: CN115996506A公开(公告)日: 2023-04-21
- 发明人: 徐焱林 , 聂翔宇 , 杜嘉余 , 王思展 , 刘业楠 , 王志浩
- 申请人: 北京卫星环境工程研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区友谊路104号
- 专利权人: 北京卫星环境工程研究所
- 当前专利权人: 北京卫星环境工程研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区友谊路104号
- 代理机构: 北京志霖恒远知识产权代理有限公司
- 代理商 郭栋梁
- 主分类号: H05F1/02
- IPC分类号: H05F1/02 ; H02H9/00 ; G01N23/225 ; G01R19/00 ; G01R27/02
摘要:
本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出,可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位,无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备,降低了电位控制的成本,无复杂的外部电路设计,增加了测试可靠性;利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制,无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作,避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性,增加了测试稳定性,提高二次电子发射系数测量的准确性。