双麦克斯韦分布下航天器表面充电触发行为特征分析方法

    公开(公告)号:CN117556209A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311575485.2

    申请日:2023-11-23

    摘要: 本申请公开了一种双麦克斯韦分布下航天器表面充电触发行为特征分析方法,该方法包括获取航天器所处的等离子体环境的环境数据和特征参数,然后将环境数据和特征参数与预存的对应关系进行匹配,从而确定航天器表面的充电电流,进一步的基于充电电流对航天器进行表面充电触发行为特征分析。本申请提供的方法通过获取到的航天器所处的外部环境数据和航天器自身的特征参数,通过与预存的对应关系进行比对的方法即可获得航天器表面的充电电流,该充电电流能够更加直观的表征航天器的表面充电情况,且分析过程较容易,能够提高分析的效率。

    一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法

    公开(公告)号:CN115996506A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211464993.9

    申请日:2022-11-22

    摘要: 本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出,可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位,无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备,降低了电位控制的成本,无复杂的外部电路设计,增加了测试可靠性;利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制,无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作,避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性,增加了测试稳定性,提高二次电子发射系数测量的准确性。

    真空环境下绝缘材料表面静电放电特性检测方法及系统

    公开(公告)号:CN118795298A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202411118386.6

    申请日:2024-08-15

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 本发明提供一种真空环境下绝缘材料表面静电放电特性检测方法及系统,方法包括,构建模拟真空环境,模拟真空环境包括第一传感器、第二传感器和第三传感器;当模拟真空环境中的介质材料的静电放电发生区域发生放电时,分别获取第一静电放电响应、第二静电放电响应和第三静电放电响应;基于第一传感器、第二传感器和第三传感器的位置坐标,以及分别距离静电放电发生区域的第一距离、第二距离和第三距离,确定静电放电发生区域的坐标;通过放电源模拟放电电流脉冲,产生第一实时放电响应,第二实时放电响应和第三实时放电响应,由于先定位出静电放电发生区域,再利用放电源模拟的方式,能够准确地检测出介质材料表面的放电特性。

    低气压放电试验方法和系统
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117310418A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311423286.X

    申请日:2023-10-30

    IPC分类号: G01R31/12

    摘要: 本申请公开了一种低气压放电试验方法和系统,该方法包括:获取样品中的试验电极的电极距离和电极形状;根据所述电极形状,确定所述试验电极的电极类型;根据所述电极类型和与所述电极类型对应的帕邢曲线,得到实际测量的多组最小起晕电压值;基于所述多组最小起晕电压值和所述电极距离,得到试验压力值;根据所述试验压力值,控制试验系统中真空容器内的压力值,以进行试验。该方案能够精准地确定出试验电极的电极类型,考虑到该电极类型便于精准地确定出试验压力值,并且能够更细粒度地控制试验系统中真空容器内的压力值,从而较为真实地模拟空间低气压环境,可为航天器高压电子产品低气压试验评估提供技术手段。

    光电子发射系数的确定方法及装置

    公开(公告)号:CN116858869A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310821399.9

    申请日:2023-07-05

    IPC分类号: G01N23/22

    摘要: 本申请公开了一种光电子发射系数的确定方法及装置,该方法包括:确定太阳光源在第一辐射能量下的第一全光谱能量值以及紫外光源在第二辐射能量下的第二全光谱能量值;全光谱能量值包括多个不同波长下的辐射能量;根据第一全光谱能量值和第二全光谱能量值确定太阳光源和紫外光源的等效参数;等效参数用于表征太阳光源和紫外光源的辐射能量大小的等效关系;根据等效参数,确定样品材料在紫外光源照射下的发射光电子数量和入射光子数量,根据发射光电子数量和入射光子数量确定样品材料的光电子发射系数。利用与太阳光源等效后的紫外光源照射样品材料,提高了空间材料的光电子发射系数的测量结果的准确性。

    一种航天材料二次电子发射系数测试系统及使用方法

    公开(公告)号:CN116840277A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310734362.2

    申请日:2023-06-20

    IPC分类号: G01N23/2208

    摘要: 一种航天材料二次电子发射系数测试系统,包括进样室、进样室样品台、过渡通道超高真空插板阀、低能电子中和枪、低能电子入射枪、紫外中和光源、分析室、多层栅网探测器模块、离子泵超高真空插板阀、控制系统、离子泵、钛升华泵、可控温多维移动样品台、分子泵、涡旋泵、分子泵超高真空插板阀、安装台座以及磁力耦合传输杆。进样室和分析室均为超高真空工艺制造而成的真空容器,其上预留观察窗、真空测量、抽气泵组、腔室复压、线缆穿舱等各类接口,二者通过过渡通道超高真空插板阀实现通断连接,进样室和分析室均安装于安装台座上,并在旁边设置控制系统,实现对所有部件的控制与数据采集。本发明的系统具有性能指标高、测试功能全等优点。

    二次电子发射系数确定方法和装置

    公开(公告)号:CN116818819A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310822095.4

    申请日:2023-07-05

    IPC分类号: G01N23/2251

    摘要: 本申请公开了一种二次电子发射系数确定方法和装置。所述方法包括:获取样本材料的多个二次电子参数;二次电子参数用于表征材料样品接受电子辐照后产生的二次电子数量,不同的二次电子参数是基于不同的电荷检测方式确定的;根据多个不同的二次电子参数得到材料样品的多个候选二次电子发射系数;确定多个候选二次电子发射系数之间的偏差值,根据偏差值对多个候选二次电子发射系数的进行有效性判断,并根据判断结果确定目标二次电子发射系数。采用本方法能够实现对二次电子发射系数的准确度和有效性的确定,避免单一方式测量导致的二次电子发射系数准确度不确定的情况。