双麦克斯韦分布下航天器表面充电触发行为特征分析方法

    公开(公告)号:CN117556209A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202311575485.2

    申请日:2023-11-23

    摘要: 本申请公开了一种双麦克斯韦分布下航天器表面充电触发行为特征分析方法,该方法包括获取航天器所处的等离子体环境的环境数据和特征参数,然后将环境数据和特征参数与预存的对应关系进行匹配,从而确定航天器表面的充电电流,进一步的基于充电电流对航天器进行表面充电触发行为特征分析。本申请提供的方法通过获取到的航天器所处的外部环境数据和航天器自身的特征参数,通过与预存的对应关系进行比对的方法即可获得航天器表面的充电电流,该充电电流能够更加直观的表征航天器的表面充电情况,且分析过程较容易,能够提高分析的效率。

    一种航天器在轨空间环境异常风险预测方法

    公开(公告)号:CN114330104A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111492467.9

    申请日:2021-12-08

    IPC分类号: G06F30/27 G06N20/00

    摘要: 本发明公开了一种航天器在轨空间环境异常风险预测方法,构建多空间环境因素与航天器异常因果分析及关联性模型,包括如下部分:(1)、航天器异常数据库及空间环境数据库的构建与处理;(2)、构建空间环境因素与航天器异常因果模型;(3)、构建空间环境因素与航天器异常的关联性模型;(4)、基于空间环境数据的航天器在轨风险预测。通过上述方式,本发明利用空间环境数据自相关模型、空间环境扰动提取模型扩充空间环境数据信息,再通过航天器异常数据和空间环境数据的关联性耦合模型,实现基于空间环境数据的航天器在轨风险预测。

    光电子发射系数的确定方法及装置

    公开(公告)号:CN116858869A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310821399.9

    申请日:2023-07-05

    IPC分类号: G01N23/22

    摘要: 本申请公开了一种光电子发射系数的确定方法及装置,该方法包括:确定太阳光源在第一辐射能量下的第一全光谱能量值以及紫外光源在第二辐射能量下的第二全光谱能量值;全光谱能量值包括多个不同波长下的辐射能量;根据第一全光谱能量值和第二全光谱能量值确定太阳光源和紫外光源的等效参数;等效参数用于表征太阳光源和紫外光源的辐射能量大小的等效关系;根据等效参数,确定样品材料在紫外光源照射下的发射光电子数量和入射光子数量,根据发射光电子数量和入射光子数量确定样品材料的光电子发射系数。利用与太阳光源等效后的紫外光源照射样品材料,提高了空间材料的光电子发射系数的测量结果的准确性。

    二次电子发射系数确定方法和装置

    公开(公告)号:CN116818819A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310822095.4

    申请日:2023-07-05

    IPC分类号: G01N23/2251

    摘要: 本申请公开了一种二次电子发射系数确定方法和装置。所述方法包括:获取样本材料的多个二次电子参数;二次电子参数用于表征材料样品接受电子辐照后产生的二次电子数量,不同的二次电子参数是基于不同的电荷检测方式确定的;根据多个不同的二次电子参数得到材料样品的多个候选二次电子发射系数;确定多个候选二次电子发射系数之间的偏差值,根据偏差值对多个候选二次电子发射系数的进行有效性判断,并根据判断结果确定目标二次电子发射系数。采用本方法能够实现对二次电子发射系数的准确度和有效性的确定,避免单一方式测量导致的二次电子发射系数准确度不确定的情况。

    一种模拟空间辐射的器件试验方法

    公开(公告)号:CN115932445A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211607461.6

    申请日:2022-12-14

    IPC分类号: G01R31/00 G01R31/26

    摘要: 本发明公开了一种模拟空间辐射的器件试验方法,包括以下步骤:S1.分析器件在轨遭遇的质子辐射环境;S2.根据器件材料和构型,建立器件几何结构模型,计算和分析空间质子在器件中的剂量深度分布;S3.采用多能质子拟合模拟轨道质子能谱辐照环境,获取质子能量和注量;S4.分析和计算电子在印刷电路板材料中沉积形成的电位;S5.按照计算结果施加质子辐照和电场,测试器件电参数的退化特性。本发明中,采用多能质子综合辐射,能够较为真实地还原空间辐射环境,能够较为真实地模拟空间质子辐射效应,为空间电子器件辐射环境效应试验和器件评估提供依据。

    异常数据的均衡化处理方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN111931424B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010807378.8

    申请日:2020-08-12

    IPC分类号: G06F30/27 G06F18/23

    摘要: 本申请公开了一种异常数据的均衡化处理方法、装置、设备及存储介质,重复对组成实际环境数据的正常数据和异常数据分别进行随机抽样,将获取的多组随机抽样数据与实际环境数据混合;基于聚类分析构建随机异常数据,将所述随机异常数据及正常数据与实际环境数据混合;基于环境效应生成虚拟数据,将所述虚拟数据与实际环境数据混合。实施时可以将上述三个步骤随机组合开展,极大提高了异常数据的均衡性,能够尽量减少关联性模型的过拟合问题,得出更为准确的分析结果,满足在轨航天器异常数据分析及与空间环境关联性模型构建。

    异常数据的均衡化处理方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN111931424A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010807378.8

    申请日:2020-08-12

    IPC分类号: G06F30/27 G06K9/62

    摘要: 本申请公开了一种异常数据的均衡化处理方法、装置、设备及存储介质,重复对组成实际环境数据的正常数据和异常数据分别进行随机抽样,将获取的多组随机抽样数据与实际环境数据混合;基于聚类分析构建随机异常数据,将所述随机异常数据及正常数据与实际环境数据混合;基于环境效应生成虚拟数据,将所述虚拟数据与实际环境数据混合。实施时可以将上述三个步骤随机组合开展,极大提高了异常数据的均衡性,能够尽量减少关联性模型的过拟合问题,得出更为准确的分析结果,满足在轨航天器异常数据分析及与空间环境关联性模型构建。

    一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法

    公开(公告)号:CN115996506A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211464993.9

    申请日:2022-11-22

    摘要: 本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中,采用紫外光源辐照绝缘材料试样,使其产生辐射诱导电导率,通过电荷对地泄放的方式将电荷排出,可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位,无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备,降低了电位控制的成本,无复杂的外部电路设计,增加了测试可靠性;利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制,无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作,避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性,增加了测试稳定性,提高二次电子发射系数测量的准确性。