发明公开
- 专利标题： 一种脉冲调制射频气体离子源
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申请号： CN202211673998.2申请日： 2022-12-26
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公开(公告)号： CN116403881A公开(公告)日： 2023-07-07
- 发明人: 聂军伟 , 陈庆川 , 黄琪 , 杨发展 , 金凡亚 , 但敏 , 陈伦江
- 申请人： 核工业西南物理研究院
- 申请人地址： 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 专利权人： 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人： 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人地址： 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 代理机构： 核工业专利中心
- 代理商 王婷
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01J37/08
摘要：
本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲调制射频气体离子源，包括：安装法兰、引出电极、栅极绝缘环、等离子体放电腔、放电腔管、底端法兰、下端密封橡胶圈、底部端盖、气路、支撑杆、支撑杆绝缘套和引出电源；本发明提出了一种适用于离子束刻蚀和离子束镀膜的宽工作气压范围的射频离子源，通过利用脉冲调节射频感应放电和单栅极引出产生低能离子束，具有结构简单、拆装方便、易维护等特点。
