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公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN116321650A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211673943.1
申请日：2022-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于低温等离子体薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种网孔式多栅离子束引出装置，包括：网格栅、屏栅、加速栅、地栅、绝缘子A、绝缘子B、加速栅电源和屏栅电源；所述网格栅固定于屏栅的一侧面，加速栅通过绝缘子A固定于屏栅的另一侧面；所述加速栅未设置绝缘子A的端面上设置有绝缘子B，所述绝缘子B上安装有地栅；加速栅电源的正极接地，加速栅电源的负极与加速栅连接；屏栅电源的正极接地，屏栅电源的负极与屏栅连接。本发明通过控制与等离子体接触的网栅结构，控制离子束发射面，实现高导流率、低发散角的低能离子束产生。
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公开(公告)号：CN114360990A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111442845.2
申请日：2021-11-30
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
摘要： 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种多栅极射频感应耦合离子源。本发明中，等离子体放电室位于射频耦合天线下面，为由电介质耦合窗、放电室侧壁和矩形栅极引出系统的引出栅构成的立方形腔体，等离子体放电室的外部设有离子源屏蔽水冷外壳和安装背板，等离子体放电室的上部和安装背板之间安装有对称放置的天线卡座，两个天线卡座之间设有电介质耦合窗；射频耦合天线安装在天线卡座上，等离子体放电室侧壁与离子源屏蔽水冷外壳之间设有弹性引线系统，等离子体放电室的底部设有矩形栅极引出系统，安装背板的上部安装有引线卡环。本发明能在较大尺寸范围内产生高均匀性准直离子束流，相比二栅和三栅结构，均匀性有极显著的提高。
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公开(公告)号：CN111385953A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811616746.X
申请日：2018-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
摘要： 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种射频感应耦合线性离子源，包括离子源屏蔽外壳、射频耦合天线、用于传输射频功率并隔离放电室和天线室的电介质耦合窗、用于容纳放电等离子体的等离子体放电室侧壁、用于从等离子体放电室中抽取离子束的多栅极离子束引出系统、向放电室内提供初始电子和向离子束及基材中提供中和电子的射频中和器；它能在较大尺寸范围内产生高均匀性大面积窄长线状离子束流，适用于大面积基材的离子束清洗、刻蚀、薄膜沉积等工艺。
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公开(公告)号：CN109979794A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711446538.5
申请日：2017-12-27
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明属于低温等离子体技术领域，具体涉及一种射频感应耦合等离子体中和器。本发明包括用于容纳放电等离子体的等离子体放电腔、高压绝缘气路装置、射频耦合天线、用于收集离子和屏蔽射频容性耦合的阴极、屏蔽外壳和用于从等离子体放电腔中抽取电子束的阳极，该射频感应耦合等离子体中和器结构一方面可有效屏蔽射频耦合天线和放电等离子体间的容性耦合，降低射频容性耦合效应对等离子体放电腔内壁的溅射，减少放电等离子体中的杂质污染，同时也可有效减少射频感应耦合等离子体中和器陶瓷绝缘件上的污染，提高射频感应耦合等离子体中和器的寿命和稳定性，具有结构简单、无电极污染、引出电子束洁净、寿命长、工作稳定、束流强度及能量易控等优点。
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公开(公告)号：CN114302546A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114051307A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111210118.3
申请日：2021-10-18
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明属于等离子体技术，具体涉及一种磁约束射频感应耦合等离子体源，包括射频放电腔、射频天线、高压绝缘气路，以及与射频天线连接的磁场电源和射频电源；射频天线的射频馈入端与射频电源连接，同时与磁场电源的一个输出端口连接；射频天线的接地端接地，同时与磁场电源的另一个输出端口连接；射频放电腔的下端开口，上端封闭。本装置产生射频感应耦合等离子体放电的电磁场，并且约束等离子体的静磁场，简化传统磁约束射频感应耦合等离子体源的分立式射频天线和磁场线圈结构，缩小了等离子体源的射频天线、磁场线圈与放电腔之间的距离，从而增强了射频天线产生的电磁场和约束静磁场对放电等离子体的作用效果。
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公开(公告)号：CN116403881A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211673998.2
申请日：2022-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种脉冲调制射频气体离子源，包括：安装法兰、引出电极、栅极绝缘环、等离子体放电腔、放电腔管、底端法兰、下端密封橡胶圈、底部端盖、气路、支撑杆、支撑杆绝缘套和引出电源；本发明提出了一种适用于离子束刻蚀和离子束镀膜的宽工作气压范围的射频离子源，通过利用脉冲调节射频感应放电和单栅极引出产生低能离子束，具有结构简单、拆装方便、易维护等特点。
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公开(公告)号：CN116230475A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211667246.5
申请日：2022-12-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种金属纳米团簇离子源，包括：金属靶、靶座陶瓷腔壁、磁钢、气路、阳极、地栅、金属靶脉冲电源和阳极电源；所述陶瓷腔壁为U型结构，陶瓷腔壁的开口端上固定有阳极，陶瓷腔壁的闭口端上设置有靶座，所述靶座上设置有金属靶和磁钢；所述陶瓷腔壁的壁面上开设有气路；阳极上连接有金属靶脉冲电源的正极和阳极电源的正极；地栅连接阳极电源的负极；金属靶脉冲电源的负极与金属靶连接。本发明通过控制双极性脉冲电源频率、占空比和偏压控制纳米团簇粒子尺寸和束流强度，提升了纳米团簇产生控制精度，适合产生任何金属材料，尤其是难熔金属和耐高温材料团簇粒子。
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公开(公告)号：CN217062004U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202122984760.9
申请日：2021-11-30
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中核同创(成都)科技有限公司
IPC分类号： H01J3/04
摘要： 本实用新型属于气体放电控制技术领域，具体涉及一种电压隔离气路接头。本实用新型包括送气螺旋柱、进气管一、进气管二、屏蔽罩、外罩，送气螺旋柱的两端，一端与外罩贴合，另一端与屏蔽罩贴合，外罩、屏蔽罩分别与进气管一、进气管二。本实用新型结构紧密牢固、安全可靠的电压隔离气路接头，保证离子源在给定工作电压、气体流率的条件下，能够抵抗射频干扰，可靠抑制气体击穿放电，确保射频感应耦合离子源的稳定运行。
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