发明授权
- 专利标题： 沟槽型场效应晶体管及其制备方法
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申请号： CN202311265134.1申请日： 2023-09-28
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公开(公告)号： CN117038708B公开(公告)日： 2024-01-23
- 发明人: 罗顶 , 徐承福 , 韩玉亮 , 陆珏 , 樊如雪
- 申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 专利权人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所
- 代理商 郑星
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
本发明提供了一种沟槽型场效应晶体管及其制备方法。该沟槽型场效应晶体管中，将阱区设置为具有多个沿着栅极结构的延伸方向依次排布的第一阱掺杂区，并在第一阱掺杂区内形成有第一源掺杂区，从而在晶体管器件正向导通时，使得每一个第一阱掺杂区内均可反型形成横向导电沟道和纵向导电沟道，大大增加了晶体管器件的沟道密度，有效提高晶体管器件的电流导通能力。
公开/授权文献
- CN117038708A 沟槽型场效应晶体管及其制备方法 公开/授权日：2023-11-10
IPC分类:
