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公开(公告)号：CN115215290B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210948900.3
申请日：2022-08-09
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
发明人： 齐健
摘要： 本申请实施例提供了一种MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件；其中，方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆中形成第一通孔，第一通孔贯穿第一导电材料层和第一绝缘层并暴露出第一基底；在第一晶圆的第一导电材料层所在的一侧上键合第二晶圆；在第二晶圆中形成第二通孔，第二通孔贯通第一表面和第二表面并且与第一通孔相连通；在第二通孔和第一通孔内形成导电层，在第二晶圆的第二表面形成与导电层导电连接的焊盘；焊盘用于连接到接地电位；导电层用于将第一基底、第一导电材料层、第二导电材料层和焊盘导电连接；在第二晶圆的第二表面上键合第三晶圆；第三晶圆通过键合金属与第二导电材料层导电连接。
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公开(公告)号：CN113233411B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202110485548.X
申请日：2021-04-30
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过在第一衬底或第二衬底上设置固定件，以用于在刻蚀形成可动梳齿结构的过程中，固定微机械结构进而限制可动梳齿结构中的各个梳齿发生扭转，改善梳齿侧壁受到刻蚀损伤的问题。并且，在第一衬底上对应于微机械结构还设置有止挡件，该止挡件可用于限制微机械结构的最大扭转角度，以防止在外力冲击下微机械结构发生断裂的问题。
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公开(公告)号：CN113735055B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202110822242.9
申请日：2021-07-21
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
发明人： 王新龙
摘要： 本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅‑硅键合，使整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、能够同时将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，且不会对其他区域保留下来的疏水有机膜造成破坏。
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公开(公告)号：CN117524988A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311409085.4
申请日：2023-10-27
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8249 , H01L27/06
摘要： 一种半导体器件及其制备方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，衬底至少包括第一区域与第二区域；在第一区域的表面上形成第一预设厚度的第一栅介质层，在第二区域的表面上形成第二预设厚度的第二栅介质层；在第一栅介质层上形成第一栅极层，在第二栅介质层上形成第二栅极层；对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入；刻蚀露出的第一栅介质层与第二栅介质层，以完全去除露出的第二栅介质层。本发明的方案通过先对第一栅介质层与第二栅介质层进行离子注入，以改变二者的表面的致密度，使得后续在刻蚀过程中的纵向刻蚀速率增大，减小了刻蚀时间，进而降低了横向的刻蚀量，避免了产生脱落与漏电等风险，提高了器件的可靠性与产品良率。
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公开(公告)号：CN117457553A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311495502.1
申请日：2023-11-10
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
发明人： 王欣松
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/268
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，提供了一种电子辐照用晶圆载具，包括：载具单元和框架；所述载具单元具有用于放置晶圆的腔室以及开口，所述腔室通过所述开口与外界连通；所述腔室内两相对侧壁上开设有供所述晶圆边缘插设的容置槽，所述两相对侧壁与所述开口相邻；所述载具单元设置有多个，各所述载具单元可拆卸的堆叠设置；各所述载具单元堆叠后形成载具组合，所述框架用于容置所述载具组合，并使得所述载具组合中的各所述载具单元连为一体。如此配置，上述载具具有特定的形状，且各容置槽的相对位置关系确定，一方面利于使得载具实现标准化，利于配合现有的导片机使用实现自动化打包，提高其打包效率，减低出错几率。
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公开(公告)号：CN117457479A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311444819.2
申请日：2023-11-02
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
发明人： 邓海涛
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , C23C16/56 , C30B33/02
摘要： 本申请实施例涉及一种SiC上氧化层的制备方法、栅氧结构及器件，其中，制备方法包括：在SiC衬底上沉积一定厚度的HTO层；采用H2O对沉积有HTO层的SiC衬底进行预退火；在预退火后，采用氧化氮进行退火，以对所述SiC衬底和所述HTO层进行界面氮钝化处理；如此，形成了膜层质量满足器件使用要求的氧化层。
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公开(公告)号：CN117446745A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311400011.4
申请日：2023-10-26
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种惯性器件及其制作方法。该惯性器件的制作方法包括：在第一衬底上形成阻挡层，阻挡层共型地覆盖第一衬底上的顶部线路图形层；在阻挡层上形成第一牺牲层，第一牺牲层覆盖阻挡层且填满顶部线路图形层中线路之间的凹坑；以阻挡层作为停止层对第一牺牲层进行平坦化处理；在顶部线路图形层和第一牺牲层上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成器件主结构层；刻蚀去除部分第二牺牲层，在器件主结构层和顶部线路图形层之间形成空腔。如此，可以提高第二牺牲层的厚度均匀性和平整度，改善惯性器件的Z轴电容，减小寄生电容的影响。所述惯性器件可以利用上述的制作方法制成。
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公开(公告)号：CN111740717B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010084870.7
申请日：2020-02-10
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成图形化的光阻层之前，还在电极材料层上形成掩模材料层，并且在对掩模材料层执行图形化工艺时，仅将光阻层中的电极图形复制至掩模材料层的上部分中，从而在去除光阻层的过程中，可避免用于去除光阻层的剥离液侵蚀电极材料层。以及，在图形化的掩模层的掩模下，结合裁剪工艺进一步图形化电极材料层，以构成电极层，进而可以更为精确的控制电极材料层的消耗量，有利于保障所形成的电极层的性能。
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公开(公告)号：CN117334742A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311453889.4
申请日：2023-11-03
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
摘要： 本申请涉及半导体领域，具体涉及一种MOSFET器件及其制备方法，包括半导体材料层、阱区、栅极沟槽以及电场屏蔽结构；栅极沟槽从半导体材料层的上表面延伸至半导体材料层的内部且包括第一沟槽部和第二沟槽部；第一沟槽部的底壁位于阱区中；第二沟槽部贯穿阱区且延伸至阱区下方的半导体材料层中；电场屏蔽结构包括彼此电性连接的第一结构部和第二结构部，第一结构部位于第一沟槽部的下方且与阱区电性接触，第二结构部位于第二沟槽部的下方；本申请实施例减小了元胞尺寸，提高了器件长期工作的稳定性，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN117303307A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311348658.7
申请日：2023-10-18
申请人： 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
摘要： 本发明提供一种MEMS器件及其制作方法。所述MEMS器件的制作方法包括：提供衬底；在衬底内形成埋层，埋层与衬底的顶面之间具有预定距离，以埋层上方的衬底作为振膜；从衬底的背面一侧刻蚀衬底并停止在埋层表面，形成位于衬底中的背腔；以及通过背腔至少去除部分埋层形成第一空腔，第一空腔释放振膜靠近背腔的表面。如此振膜和衬底为一体式结构，可以降低振膜分层的概率，提高MEMS器件的可靠性且可以提高MEMS器件的灵敏度。所述MEMS器件的衬底中具有第一空腔以及背腔，第一空腔位于衬底内部，背腔位于第一空腔靠近衬底背面的一侧且与第一空腔贯通，衬底顶部的部分跨越在第一空腔上方，以衬底顶部的跨越在第一空腔上方的部分作为MEMS器件的振膜。
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