- 专利标题： 基于忆阻器的存内逻辑电路及全阵列并行计算方法
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申请号： CN202311534086.1申请日： 2023-11-17
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公开(公告)号： CN117271435B公开(公告)日： 2024-02-13
- 发明人: 李智炜 , 王义楠 , 刘海军 , 李清江 , 徐晖 , 刘桂青 , 刁节涛 , 于红旗 , 王玺 , 李楠 , 步凯 , 陈长林 , 刘森 , 宋兵 , 王伟 , 王琴 , 曹荣荣 , 孙振源
- 申请人： 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址： 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构： 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理商 莫一乐
- 主分类号： G06F15/78
- IPC分类号： G06F15/78 ; G11C13/00 ; H03K19/177
摘要：
本申请涉及一种基于忆阻器的存内逻辑电路及全阵列并行计算方法，该存内逻辑电路包括基于忆阻器的存内计算阵列、开关单元以及电压基准驱动单元，其中，基于忆阻器的存内计算阵列包括多个以阵列形式排布的存内计算单元，且各存内计算单元均具有四个输入端口，包括行选控制端口、列选控制端口、忆阻器顶电极连接端口以及忆阻器底电极连接端口，通过利用开关单元中的四组开关阵列分别对存内计算单元的四个输入端口状态进行控制，从而实现对阵列中某(56)对比文件Kai Bu，Zhiwei Li，Wei Wang.CiMC：AComputing-in-Memory Controller forMeristive Crossbar Array《.IOP ConferenceSerirs：Materials Science andEngineering》》.2020,全文.
公开/授权文献
- CN117271435A 基于忆阻器的存内逻辑电路及全阵列并行计算方法 公开/授权日：2023-12-22