本申请涉及半导体领域，具体涉及一种MOSFET器件及其制备方法，包括半导体材料层、阱区、栅极沟槽以及电场屏蔽结构；栅极沟槽从半导体材料层的上表面延伸至半导体材料层的内部且包括第一沟槽部和第二沟槽部；第一沟槽部的底壁位于阱区中；第二沟槽部贯穿阱区且延伸至阱区下方的半导体材料层中；电场屏蔽结构包括彼此电性连接的第一结构部和第二结构部，第一结构部位于第一沟槽部的下方且与阱区电性接触，第二结构部位于第二沟槽部的下方；本申请实施例减小了元胞尺寸，提高了器件长期工作的稳定性，简化了制备工艺。