提供一种占有面积小的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层及第二导电层，还包括半导体层、第三导电层及第六绝缘层。半导体层与第一导电层的顶面、第一至第五绝缘层的侧面及第二导电层接触，第六绝缘层位于半导体层上，第三导电层位于第六绝缘层上且隔着第三导电层与半导体层之间的第六绝缘层与半导体层重叠，第一绝缘层具有其氢含量比第二绝缘高多的区域，第五绝缘层具有其氢含量比第四绝缘层高的区域，第三绝缘层包含氧。