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公开(公告)号：CN109075079B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN110010625A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811571921.8
申请日：2014-11-21
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56 , H01L51/52 , H01L41/314
摘要： 在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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公开(公告)号：CN109564741A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047650.3
申请日：2017-05-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09F9/46 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09F9/46 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
摘要： 提供一种功耗低的显示装置的制造方法。该方法包括如下步骤：在衬底上使用包含树脂或树脂前体的材料形成第一层；在第一层中形成第一区域及比该第一区域薄的第二区域；通过在使包含氧的气体流动的同时对第一层进行第一加热处理，形成具有第一区域及比该第一区域薄的第二区域的第一树脂层；在第一树脂层上形成包括显示元件的被剥离层；以及使被剥离层与衬底分离，其中，形成被剥离层的步骤包括在第一树脂层上的重叠于第二区域的位置形成导电层的步骤，并且，在使被剥离层与衬底分离的步骤之后包括去除第一树脂层而使导电层露出的步骤。
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公开(公告)号：CN106653685A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610809456.1
申请日：2014-11-21
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/77
摘要： 本发明题为显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。
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公开(公告)号：CN118281077A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410375798.1
申请日：2018-08-22
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L27/15 , G09F9/35 , G02F1/1333 , G02F1/13357 , G02F1/1362
摘要： 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。
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公开(公告)号：CN110625540B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
摘要： 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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公开(公告)号：CN110993829A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911097742.X
申请日：2014-08-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
摘要： 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。
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公开(公告)号：CN110625540A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910837433.5
申请日：2015-04-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： B25B11/00 , B29C53/18 , H01L21/687
摘要： 将薄膜状部件通过真空吸引支撑为平面形状。多个提升销以平面构造配置且支承置于它们上端上方的薄膜状部件。用于通过真空吸引保持薄膜状部件的由橡胶制成的管状吸盘附接于提升销的上部。提升销的高度可以利用螺纹紧固机构来而调整。通过来自吸盘的吸引，薄膜状部件的变形可被校正为平面状或凹入弯曲状。在不能只通过吸引来校正时，可通过从喷嘴喷射空气来对校正进行补充。
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公开(公告)号：CN109075079A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
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公开(公告)号：CN111033757B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201880056474.4
申请日：2018-08-22
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L27/15
摘要： 提供一种可靠性高的半导体装置。在该半导体装置中，第二绝缘层位于第一绝缘层上，半导体层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，第三绝缘层位于第二绝缘层上，第四绝缘层位于第三绝缘层上，第一导电层包括与半导体层重叠的区域且位于第三绝缘层与第四绝缘层之间，第三绝缘层包括与第一导电层的底面接触的区域和与第四绝缘层接触的区域，第四绝缘层接触于第一导电层的顶面及侧面，第五绝缘层接触于半导体层的顶面及侧面，第五绝缘层在与半导体层重叠且不与第一导电层重叠的区域中包括第一开口及第二开口，第二导电层在第一开口中与半导体层电连接，第三导电层在第二开口中与半导体层电连接，第三绝缘层、第四绝缘层及第五绝缘层包含金属和氧或氮，第六绝缘层包括接触于第五绝缘层的顶面及侧面的区域及接触于第一绝缘层的区域。
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