Invention Publication
- Patent Title: 存储器件及其制造和操作方法以及包括其的电子装置
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Application No.: CN202311342424.1Application Date: 2023-10-16
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Publication No.: CN118265292APublication Date: 2024-06-28
- Inventor: 金世润 , 姜周宪 , 金裕珉 , 朴可篮 , 宋伣在 , 安东浩 , 杨承烈 , 禹明勋 , 李镇宇 , 玄昇潭
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 弋桂芬
- Priority: 10-2022-0185903 20221227 KR
- Main IPC: H10B41/27
- IPC: H10B41/27 ; H10B41/35 ; H10B43/27 ; H10B43/35
Abstract:
本发明提供一种包括垂直堆叠结构的存储器件、该存储器件的制造和操作方法以及包括该存储器件的电子装置，该存储器件包括栅电极、电阻变化层、在栅电极和电阻变化层之间的沟道、在电阻变化层和沟道之间并与电阻变化层和沟道接触的岛结构、以及在栅电极和沟道之间的栅极绝缘层。
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