公开(公告)号：CN111192613B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201911050560.7

申请日：2019-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  李䈘傧 ,  李镇宇 ,  郑珪捧

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge‑Se‑Te、Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的一种，并且Ge‑Se‑Te‑As和Ge‑Se‑Te‑As‑Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。

公开(公告)号：CN107275357A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710196690.6

申请日：2017-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇宇 ,  朴淳五 ,  朴正熙 ,  堀井秀树

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1233 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/16

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。

公开(公告)号：CN1749572A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510070435.4

申请日：2005-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 瓦列里·伦琴 ,  石种元 ,  李镇宇

IPC: F04C29/06 ,  F04C23/00 ,  F04C18/356

CPC classification number: F04C29/068 ,  F04C18/3564 ,  F04C23/001 ,  F04C23/008 ,  F04C29/061 ,  F04C29/065

Abstract: 一种多气缸压缩机被设计具有良好的噪音和脉动减小效果并且也容易制造。多气缸压缩机包括彼此隔开的第一和第二压缩室以分别执行气体的压缩，被分别设置到第一和第二压缩室的释放开口的第一和第二消声器，将第一消声器的内部与第二消声器的内部相连通的连通流动路径，以及至少一个释放流动路径，所述释放流动路径从第二消声器延伸预定的长度以在引导被压缩的气体的释放时减小噪音和脉动。

公开(公告)号：CN1112704C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN98117489.2

申请日：1998-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇宇 ,  金奇南 ,  郑东镇

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 揭示了一种铁电随机存取存储器(FRAM)器件，包括一条字线，一条极板线，一条位线，和一个铁电存储单元。该铁电存储单元包括一个铁电电容器和一个选择晶体管。铁电电容器的一个电极经选择晶体管与位线耦合，其另一电极与极板线耦合，选择晶体管的控制极与字线耦合。该FRAM器件还包括一个用于产生提供至极板线的一个极板脉冲信号的极板脉冲发生器。根据不同的操作模式，产生的极板脉冲信号具有不同的电压电平。

公开(公告)号：CN107104104B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201710075833.8

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智贤 ,  李镇宇 ,  高宽协 ,  姜大焕

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了存储器件及制造该存储器件的方法。存储器件的存储单元与第一电极线和第二电极线分开地形成，其中存储单元之上的第二电极线通过镶嵌工艺形成，从而避免与对存储单元之上的绝缘层过度地或不足地进行CMP相关的复杂情况。

公开(公告)号：CN1749569A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510078581.1

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 石种元 ,  瓦列里·伦琴 ,  李镇宇

IPC: F04C23/00

CPC classification number: F04B39/0055 ,  F04C18/3562 ,  F04C23/001 ,  F04C23/008 ,  F04C29/061 ,  F04C29/068

Abstract: 一种多气缸旋转式压缩机，设计用于减小吸入损耗和噪音。所述多气缸压缩机包括彼此隔开的第一和第二压缩室；分别与第一和第二压缩室相连通的第一和第二吸入端口；以及安置相邻于第一和第二吸入端口的连通孔以将第一压缩室与第二压缩室相连通。

公开(公告)号：CN117596893A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310916866.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金裕珉 ,  姜周宪 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  朴可篮 ,  宋伣在 ,  安东浩 ,  杨承烈 ,  禹明勋 ,  李镇宇

IPC: H10B63/00

Abstract: 提供一种非易失性存储器件及其操作方法。该非易失性存储器件可以包括导电柱、围绕导电柱的侧表面的电阻变化层、围绕电阻变化层的侧表面的半导体层、围绕半导体层的侧表面的栅极绝缘层、以及沿着栅极绝缘层的表面交替布置的多个绝缘图案和多个栅电极。所述多个绝缘图案和所述多个栅电极可以围绕栅极绝缘层的侧表面。

公开(公告)号：CN112467026A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011084987.1

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑智贤 ,  李镇宇 ,  高宽协 ,  姜大焕

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了半导体器件，包括：第一电极线，在第一方向上延伸；第二电极线，设置在第一电极线之上，并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，设置在第一电极线和第二电极线的交叉处并在第一电极线和第二电极线之间；第一绝缘层，设置在两个相邻的第一电极线之间并在第一方向上延伸；第二绝缘层，在相邻的第一存储单元之间设置在第一绝缘层和第一电极线上；以及第三绝缘层，在两个相邻的第二电极线之间设置在第二绝缘层上并在第二方向上延伸。第二绝缘层的顶表面比第二电极线的底表面高，第一电极线的下部在第二方向上比第一电极线的上部宽。

公开(公告)号：CN111192613A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911050560.7

申请日：2019-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴哲 ,  李傧 ,  李镇宇 ,  郑珪捧

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了存储器器件和存储器单元。该存储器器件包括字线、与字线交叉的位线、以及在字线和位线的交叉处的存储器单元。该存储器单元包括连接到字线的第一电极、连接到位线的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的选择元件层。该选择元件层包括Ge-Se-Te、Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的一种，并且Ge-Se-Te-As和Ge-Se-Te-As-Si中的每种的砷(As)成分的组分比率大于0.01且小于0.17。

公开(公告)号：CN110875429A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910831757.8

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞承根 ,  吴哲 ,  李儐 ,  李政武 ,  李镇宇 ,  K·郑

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了一种开关元件、一种可变电阻存储器装置以及一种制造开关元件的方法。所述开关元件包括：在衬底上的下阻挡电极、在下阻挡电极上的开关图案以及在开关图案上的上阻挡电极。下阻挡电极包括：第一下阻挡电极层以及插入在第一下阻挡电极层和开关图案之间的第二下阻挡电极层，第二下阻挡电极层的密度不同于第一下阻挡电极层的密度。