发明公开
CN118841394A 半导体装置及其制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体装置及其制造方法
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申请号： CN202410662681.1申请日： 2024-05-27
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公开(公告)号： CN118841394A公开(公告)日： 2024-10-25
- 发明人: 周家玥 , 沈香谷 , 余立中 , 张文苓 , 黄镇球 , 陈殿豪 , 侯承浩 , 蔡欣宏 , 唐宇 , 李昆育 , 江淳修
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 李南山
- 优先权： 18/337,963 20230620 US
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/768
摘要：
一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。第一介电层或第三介电层可以包含氮化硅，第二介电层可以包含氧化硅。
IPC分类:
