公开(公告)号：CN118841394A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410662681.1

申请日：2024-05-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周家玥 ,  沈香谷 ,  余立中 ,  张文苓 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  侯承浩 ,  蔡欣宏 ,  唐宇 ,  李昆育 ,  江淳修

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。第一介电层或第三介电层可以包含氮化硅，第二介电层可以包含氧化硅。

公开(公告)号：CN118338773A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311226469.2

申请日：2023-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡欣宏 ,  江淳修 ,  侯承浩 ,  李达元 ,  徐志安

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01L21/768

摘要： 根据本揭露内容的一些实施例，揭露一种半导体元件及其制作方法，方法包含：形成第一电极；沉积介电质层在第一电极上方，其中介电质层具有第一介电常数以及第一厚度；沉积介电质盖层在介电质层上方，其中介电质盖层具有高于第一介电常数的第二介电常数，且介电质盖层具有大于第一厚度的第二厚度；形成第二电极在介电质盖层上方；形成第一接触塞电性连接至第一电极；以及形成第二接触塞电性连接至第二电极。