公开(公告)号：CN117096097A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310458933.4

申请日：2023-04-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  蔡欣宏 ,  李达元 ,  徐志安

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H10N97/00 ,  H01L27/08

摘要： 本公开提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括：形成第一电容器电极；在所述第一电容器电极上形成第一阻氧层；在所述第一阻氧层上形成电容器绝缘体层；在所述电容器绝缘体层上形成第二阻氧层；在所述第二阻氧层上形成第二电容器电极；以及形成电耦合到所述第一电容器电极的第一接触插塞和电耦合到所述第二电容器电极的第二接触插塞。

公开(公告)号：CN115527937A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210220319.X

申请日：2022-03-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  张哲豪 ,  李达元 ,  徐志安

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

摘要： 一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上执行第二退火制程。

公开(公告)号：CN118448251A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202311496531.X

申请日：2023-11-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 徐志安 ,  侯承浩 ,  李达元 ,  赖蓓盈 ,  陈昱璇 ,  许嘉芸

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

摘要： 本申请公开了用于调节多VT器件的氮化铝偶极掺杂剂膜。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电介质；在栅极电介质上沉积氮化铝层；在氮化铝层上沉积氧化铝层；执行退火工艺以将氮化铝层中的铝驱入栅极电介质；去除氧化铝层和氮化铝层；以及在栅极电介质上形成栅极电极。

公开(公告)号：CN118338773A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311226469.2

申请日：2023-09-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡欣宏 ,  江淳修 ,  侯承浩 ,  李达元 ,  徐志安

IPC分类号： H10N97/00 ,  H01L21/768

摘要： 根据本揭露内容的一些实施例，揭露一种半导体元件及其制作方法，方法包含：形成第一电极；沉积介电质层在第一电极上方，其中介电质层具有第一介电常数以及第一厚度；沉积介电质盖层在介电质层上方，其中介电质盖层具有高于第一介电常数的第二介电常数，且介电质盖层具有大于第一厚度的第二厚度；形成第二电极在介电质盖层上方；形成第一接触塞电性连接至第一电极；以及形成第二接触塞电性连接至第二电极。

公开(公告)号：CN102903742B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210026682.4

申请日：2012-02-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  林秉顺 ,  李达元 ,  于雄飞 ,  周群渊 ,  徐帆毅 ,  陈建豪 ,  许光源

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。

公开(公告)号：CN118712135A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739900.1

申请日：2024-06-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林民和 ,  庄曜滕 ,  侯承浩 ,  林宗达 ,  李达元 ,  徐志安

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092

摘要： 一种形成半导体器件的方法包括形成CFET结构，CFET结构具有底部栅极区和顶部栅极区，底部栅极区具有围绕第一多个沟道缠绕的第一多个栅极介电层，顶部栅极区具有包绕第二多个沟道的第二多多个栅极介电层。该方法包括执行第一偶极环工艺以将第一偶极掺杂剂驱入到第一多个栅极介电层中，以及执行第二偶极环工艺来将第二偶极掺杂剂驱入第二多个栅极介电层中。并且在执行第一和第二偶极环工艺之后，该方法包括在第一和第二多个栅极介电层上沉积栅极金属。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN117320540A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311143147.1

申请日：2023-09-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余立中 ,  蔡欣宏 ,  侯承浩 ,  沈香谷 ,  黄镇球 ,  陈殿豪

IPC分类号： H10N97/00

摘要： 提供了半导体结构及其制造方法。一种示例性方法包括在衬底上沉积第一导电材料层，图案化第一导电材料以在衬底上方形成第一导体板，在第一导体板上形成第一高K介电层，在第一高K介电层上形成第二高K介电层，在第二高K介电层上形成第三高K介电层，并且形成在第三高K介电层上方并且与第一导体板垂直重叠的第二导体板，其中第一高K介电层的组成与第三高K介电层的组成相同，并且不同于第二高K介电层的组成。

公开(公告)号：CN102903742A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210026682.4

申请日：2012-02-07

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 侯承浩 ,  林秉顺 ,  李达元 ,  于雄飞 ,  周群渊 ,  徐帆毅 ,  陈建豪 ,  许光源

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/28026 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种集成电路制造，更具体而言，公开了具有低电阻金属栅电极的场效应晶体管。用于场效应晶体管的金属栅电极的示例性结构包括由第一金属材料形成的下部，其中所述下部具有凹部、底部和侧壁部，其中每个侧壁部具有第一宽度；以及由第二金属材料形成的上部，其中所述上部具有突出部和本体部，其中所述本体部具有第二宽度，其中所述突出部延伸至凹部内，其中第二宽度与第一宽度的比值为约5至10。本发明还提供了一种场效应晶体管的金属栅电极。

公开(公告)号：CN101685777A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910173269.9

申请日：2009-09-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张哲豪 ,  侯承浩 ,  余振华 ,  吴泰伯

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： 本发明公开一种半导体装置的制造方法。该方法包括提供一基底；以自由基(radical)对基底进行处理，而在其上形成一界面层；以及在界面层上形成一高介电常数材料层。上述自由基是择自于以下群族：含水自由基、氮/氢自由基及硫/氢自由基。本发明的优点包括：(1)基底(通道)/界面层界面钝化；(2)因高介电常数前驱物而改变界面层表面(较接的润湿界面)；(3)在高介电常数材料沉积之后，界面层/高介电常数材料的界面钝化；(4)界面处的大气污染源少；(5)抑制热引扩散；(6)栅极介电层的EOT小于10埃。因此，栅极介电层的EOT符合先进的技术要求(例如，45nm以下)。

公开(公告)号：CN118841394A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410662681.1

申请日：2024-05-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周家玥 ,  沈香谷 ,  余立中 ,  张文苓 ,  黄镇球 ,  陈殿豪 ,  侯承浩 ,  蔡欣宏 ,  唐宇 ,  李昆育 ,  江淳修

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

摘要： 一种半导体装置包括一第一介电层。一第二介电层设置于第一介电层上方。第二介电层及第一介电层具有不同的材料组成。一金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构埋入第二介电层内。一第三介电层设置于第二介电层上方。第三介电层及第二介电层具有不同的材料组成。第一介电层或第三介电层可以包含氮化硅，第二介电层可以包含氧化硅。