- 专利标题： 无铬膜层相位移光罩及其制造方法与制造半导体装置方法
- 专利标题（英）： Phase shifting mask without Cr film layer, its mfg. method, and fabricating method for semiconductor
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申请号： CN200410100630.2申请日： 2004-12-08
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公开(公告)号： CN1325994C公开(公告)日： 2007-07-11
- 发明人: 张仲兴 , 林佳惠 , 陈俊光
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李强
- 优先权： 10/730,533 2003.12.08 US
- 主分类号： G03F1/08
- IPC分类号： G03F1/08 ; G03F7/20 ; H01L21/00
摘要：
本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案，此外，本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。
公开/授权文献
- CN1627185A 无铬膜层相位移光罩及其制造方法与制造半导体装置方法 公开/授权日：2005-06-15
