发明授权
CN1797605B 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN200510118815.0申请日: 2005-10-29
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公开(公告)号: CN1797605B公开(公告)日: 2011-11-09
- 发明人: 小山润 , 安部宽子 , 汤川干央 , 岩城裕司 , 山崎舜平
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 梁永
- 优先权: 2004-317398 2004.10.29 JP
- 主分类号: G11C11/40
- IPC分类号: G11C11/40 ; G11C16/06 ; G11C17/08 ; H01L27/28 ; H01L27/105 ; G06K19/07 ; G06K19/10
摘要:
本发明的目的是提供一种半导体器件,该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据,并且可以防止因改写的伪造。此外,本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元,并串联连接或并联连接该存储单元,而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
公开/授权文献
- CN1797605A 半导体器件 公开/授权日:2006-07-05