发明授权
- 专利标题: 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
- 专利标题(英): Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
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申请号: CN200610057753.1申请日: 2006-02-27
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公开(公告)号: CN1828914B公开(公告)日: 2010-07-14
- 发明人: 金彰洙 , 金湘甲 , 秦洪基 , 吴旼锡 , 崔熙焕 , 金时烈
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: TCL华星光电技术有限公司
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李伟
- 优先权: 10-2005-0015914 2005.02.25 KR; 10-2005-0034964 2005.04.27 KR
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L21/84
摘要:
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
公开/授权文献
- CN1828914A 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 公开/授权日:2006-09-06
IPC分类: