公开(公告)号：CN103034004A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210434760.4

申请日：2006-02-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。

公开(公告)号：CN101221925B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710306900.9

申请日：2007-09-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  金湘甲 ,  崔在镐 ,  丁有光

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。

公开(公告)号：CN101630704A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910159777.1

申请日：2009-07-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴敏 ,  吴旼锡 ,  申明勋 ,  李昌昊 ,  李秉奎 ,  南毓铉 ,  郑胜在 ,  林美花 ,  徐晙荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池，

公开(公告)号：CN101009250A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。

公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN101009250B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200610142803.6

申请日：2006-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔升夏 ,  吴旼锡 ,  秦洪基 ,  金湘甲 ,  丁有光

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。其中在蚀刻所述欧姆接触层和所述半导体层的步骤中，所述欧姆接触层和所述半导体层的一部分被向内蚀刻。

公开(公告)号：CN100414673C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN102629636A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201110451007.1

申请日：2011-12-21

申请人： 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

发明人： 吴旼锡 ,  朴敏 ,  李允锡 ,  宋南圭 ,  李草英 ,  全勋夏 ,  张然翼

IPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括基底、半导体层、第一掺杂图案和第二掺杂图案。基底具有适合于接收太阳光的第一表面和背对第一表面的第二表面。半导体层包括形成在基底的第二表面的第一区域上的绝缘图案以及形成在基底的第二表面的其上不形成绝缘图案的第二区域上的半导体图案。第一掺杂图案和第二掺杂图案形成在半导体图案中或形成在半导体图案上。

公开(公告)号：CN101174555A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710194464.0

申请日：2007-11-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吴旼锡 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  丁有光 ,  崔升夏 ,  金基铉 ,  宋仁虎

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘基板提供等待单元；在该绝缘基板等待时通过具有多个喷嘴的清洁单元执行初步清洁操作，且检查该初步清洁操作；以及基于检查结果对该绝缘基板执行主清洁操作。

公开(公告)号：CN101165882A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710167104.1

申请日：2007-10-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔升夏 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  崔新逸 ,  金大玉 ,  秦洪基 ,  丁荣镐 ,  丁有光

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管基板的制造方法，包括：在绝缘基板上顺序形成栅互连、栅绝缘层、有源层、用于数据互连的导电层、及包括第一区域和第二区域的光致抗蚀剂图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该导电层从而形成用于源/漏电极和数据线的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层从而形成有源层图案；去除该光致抗蚀剂图案的第二区域；使用该光致抗蚀剂图案和蚀刻气体干法蚀刻该第二区域下的该用于源/漏电极的导电层图案；利用该光致抗蚀剂图案蚀刻该有源层图案的一部分；及使用反应副产物去除剂使得外力施加到该导电层图案的蚀刻气体和反应副产物而物理去除所述反应副产物。