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公开(公告)号：CN101009250B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200610142803.6
申请日：2006-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。其中在蚀刻所述欧姆接触层和所述半导体层的步骤中，所述欧姆接触层和所述半导体层的一部分被向内蚀刻。
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公开(公告)号：CN102141862A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110008679.5
申请日：2011-01-17
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/042
CPC分类号： G02F1/13338 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/12 , H01L27/1214 , Y10T29/49105
摘要： 本发明公开了触摸屏基板及其制造方法。在触摸屏基板及其制造方法中，触摸屏基板包括基底基板、遮光图案、第一感测元件和第一开关元件。遮光图案包括形成在基底基板上的无机层和形成在无机层上的遮光层，遮光层透射红外光并吸收可见光。第一感测元件形成在遮光图案上并感测红外光。第一开关元件电连接到第一感测元件。因此，可以防止在遮光图案下部形成底切，并可以增加遮光图案与基底基板之间的粘合强度。
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公开(公告)号：CN100414673C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200510129428.7
申请日：2005-12-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01L21/67069
摘要： 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
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公开(公告)号：CN101097928B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710126331.X
申请日：2007-06-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/12 , H01L27/1248
摘要： 提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板以及该TFT阵列基板的制造方法，在所述TFT阵列基板中，在接触部分中提供了导电材料之间足够大的接触面积。所述TFT阵列基板包括设置在绝缘基板上的栅极互连线、覆盖所述栅极互连线的栅极绝缘层、设置在所述栅极绝缘层上的半导体层、包括设置在所述半导体层上的数据线、源电极和漏电极的数据互连线、设置在所述数据互连线上并暴露所述漏电极的第一钝化膜、设置在所述第一钝化膜上的第二钝化膜、以及与所述漏电极电连接的像素电极。所述第二钝化膜的外侧壁位于所述第一钝化膜的外侧壁之内。半导体层除了位于所述源电极和所述漏电极之间的部分之外，基本与数据线、源电极和漏电极具有相同的平面形状。
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公开(公告)号：CN1828914B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200610057753.1
申请日：2006-02-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN1897285B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610098474.X
申请日：2006-07-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/133
CPC分类号： H01L27/124 , G02F2001/13629 , H01L29/458
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成栅极线；在该栅极线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触；在该欧姆接触上形成含Mo的第一导电膜、含Al的第二导电膜和含Mo的第三导电膜；在该第三导电膜上形成第一光刻胶图样；使用该第一光刻胶图样作为掩模，蚀刻第一、第二和第三导电膜、欧姆接触、以及半导体层；将该第一光刻胶图样除去预定厚度，以便形成第二光刻胶图样；使用该第二光刻胶图样作为掩模，蚀刻该第一、第二和第三导电膜，以便暴露欧姆接触的一部分；以及使用含Cl气体和含F气体蚀刻暴露的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN1794431A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510129428.7
申请日：2005-12-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/321 , H01L21/67069
摘要： 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。
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公开(公告)号：CN103034004A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210434760.4
申请日：2006-02-27
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1333 , H01L27/12 , H01L21/77
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F1/133345 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2202/02
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。
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公开(公告)号：CN101645423A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910162048.1
申请日：2009-08-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/528 , G03F7/00 , G03F7/36
CPC分类号： H01L29/458 , H01L27/124 , H01L27/1288
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。
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公开(公告)号：CN101009250A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610142803.6
申请日：2006-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。
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