公开(公告)号：CN100414673C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200510129428.7

申请日：2005-12-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔熙焕 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  秦洪基

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明公开了一种等离子体装置。所述等离子体装置包括：反应室，具有反应空间以容纳被处理的基板；线圈，位于所述反应空间的外部上；电源，将交流频率电源施加到所述线圈上；以及导电板，位于所述线圈和所述反应空间之间且从施加到所述线圈上的交流频率电源产生感应电流。因此，本发明提供了等离子体装置，其在反应室的内部气体中诱发均匀的电场。

公开(公告)号：CN100590499C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200480033271.1

申请日：2004-09-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  李帝珉 ,  赵宽英 ,  郑钟台 ,  宋仁虎 ,  崔熙焕 ,  姜圣哲 ,  妻镐民 ,  崔凡洛 ,  崔埈厚

IPC分类号： G02F1/136

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板、液晶显示器及其制造方法。用于LCD的薄膜晶体管阵列面板用于以独立方式驱动各个像素的电路板。本发明提供了像素电极和把栅极线和数据线的扩展部分连接到外部电路的接触辅助，它们具有包括IZO层和ITO层的双层结构。ITO层设置在IZO层上。在本发明中，像素电极形成为具有IZO层和ITO层的双层以避免在总体测试过程中布线被ITO蚀刻剂破坏并防止探针上的异物堆积。在本发明中，可以仅接触辅助形成为具有IZO层和ITO层的双层，以防止在总体测试过程中探针上的异物堆积。由于减小了ITO的消耗，降低了制造成本。

公开(公告)号：CN1748318A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003672.2

申请日：2004-02-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑敞午 ,  赵范锡 ,  崔熙焕

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L29/78669 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908

摘要： 本发明公开了一种LCD装置的薄膜晶体管基片及其制造方法。该薄膜晶体管基片包括形成在含有硅的绝缘层图样上的镍－硅化物层及在镍－硅化物层上形成的金属层。将镍涂布在含有硅的绝缘层图样并且将金属层涂布在镍涂布层上。然后，在大约200～350℃的温度下进行热处理以获得镍－硅化物层。由于通过应用镍－硅化物布线制造LCD装置的薄膜晶体管基片，所以可以获得具有低电阻率且具有良好欧姆接触特性的装置。

公开(公告)号：CN1628494A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02829140.9

申请日：2002-12-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑縝九 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  崔熙焕 ,  崔凡洛

IPC分类号： H05B33/22

CPC分类号： H01L27/3246 ,  H01L21/31633 ,  H01L27/3283 ,  H01L51/5206

摘要： 本发明公开了一种用于提高发光效率的有机电致发光(EL)器件。在衬底上形成第一电极。在第一电极和衬底上形成具有暴露第一电极的开口的低介电常数的CVD绝缘膜。在开口上依次叠置有机EL层和第二电极。包围有机EL层的区域的壁由低介电常数的CVD绝缘膜形成，可以利用O2等离子进行象素电极的表面处理，由此提高发光特性。

公开(公告)号：CN103034004A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210434760.4

申请日：2006-02-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/02

摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；半导体，布置在所述数据线下方；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；第一绝缘层，布置在所述数据线上并且包括有机材料；像素电极，布置在所述第一绝缘层上并且连接至所述漏电极；屏蔽电极，与所述像素电极布置在相同层上并且传输共电压，所述屏蔽电极包括沿所述数据线延伸且覆盖所述数据线的第一部分。

公开(公告)号：CN100454495C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410048125.8

申请日：2004-06-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔熙焕 ,  宋仁虎 ,  姜聖哲 ,  金湘甲

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  B08B7/0035 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32862

摘要： 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。

公开(公告)号：CN1822352A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610002183.6

申请日：2006-01-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金彰洙 ,  金洙真 ,  韩京泰 ,  崔熙焕 ,  金周汉

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14692

摘要： 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。该方法包括：在基底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线和漏极；在数据线和漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成包括第一部分和比第一部分薄的第二部分的光阻剂；将光阻剂作为掩模蚀刻钝化层，从而至少部分地暴露漏极的一部分；去除光阻剂的第二部分；沉积导电膜；去除光阻剂，从而在漏极的暴露部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN1790750A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 公开了一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，在所述基板上的栅极绝缘层，沟道图案，源电极和漏电极。所述沟道图案包括：形成在所述栅电极上并覆盖所述栅电极的半导体图案；以及形成在所述半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。所述源电极包括顺序形成在所述第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。所述漏电极包括顺序形成在所述第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。所述第一和第二导电粘合图案的蚀刻部分具有基本竖直的轮廓从而防止了源电极和漏电极的暴露，由此改善了薄膜晶体管的特性。

公开(公告)号：CN1770465A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106754.6

申请日：2005-08-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔凡洛 ,  崔熙焕 ,  蔡钟哲

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/3244 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  H01L27/3276

摘要： 一种有机发光二极管显示器，包括发光器件，相互分离的第一导线、第二导线和第三导线，耦合到第三导线和发光器件的第一薄膜晶体管，和耦合到第一导线和第二导线的第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括第一电极，第四薄膜晶体管包括第二电极，并且第一电极和第二电极通过在第一绝缘层中的第一接触孔相互耦合。

公开(公告)号：CN1790750B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200510124866.4

申请日：2005-11-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金湘甲 ,  金时烈 ,  朴弘植 ,  崔熙焕 ,  秦洪基 ,  吴旼锡

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L29/66765 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及一种显示设备及其制造方法，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极、栅极绝缘层、沟道图案、源电极和漏电极。沟道图案包括：形成在栅电极上并覆盖栅电极的半导体图案；形成在半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。源电极包括顺序形成在第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。漏电极包括顺序形成在第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案、第二覆盖图案、源极图案和漏极图案的端部包括倾斜的截面轮廓。第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属，第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。