发明公开
- 专利标题： 在先进CMOS技术中应变Ge的集成
- 专利标题（英）： Integration of strained Ge into advanced CMOS technology
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申请号： CN200580015590.4申请日： 2005-05-10
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公开(公告)号： CN1954439A公开(公告)日： 2007-04-25
- 发明人: 尚慧玲 , M·艾昂 , J·O·舒 , K·W·古亚里尼
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 于静; 刘瑞东
- 优先权： 10/876,155 2004.06.24 US
- 国际申请： PCT/US2005/016223 2005.05.10
- 国际公布： WO2006/007068 EN 2006.01.19
- 进入国家日期： 2006-11-15
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L31/0328 ; H01L31/0336 ; H01L29/739 ; H01L31/072 ; H01L21/337 ; H01L21/3205 ; H01L21/8249 ; H01L21/331 ; H01L21/8222
摘要：
本发明公开了一种在压缩应变Ge层(100)中制造PFET器件的结构和方法。该器件的制造方法与标准CMOS技术兼容，并且完全可升级。该方法包括选择性外延沉积Ge含量大于50％的缓冲层(101)、纯Ge层(100)和SiGe顶层(120)。制造的在压缩应变Ge层中寄宿的掩埋沟道PMOS器件相对于类似的Si器件显示出较好的器件特性。
公开/授权文献
- CN100481490C 在先进CMOS技术中应变Ge的集成 公开/授权日：2009-04-22