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公开(公告)号:CN100481490C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200580015590.4
申请日:2005-05-10
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L29/06 , H01L31/0328 , H01L31/0336 , H01L29/739 , H01L31/072 , H01L21/337 , H01L21/3205 , H01L21/8249 , H01L21/331 , H01L21/8222
CPC分类号: H01L21/84 , H01L21/823807 , H01L27/1203 , H01L29/1054 , H01L29/7841
摘要: 本发明公开了一种在压缩应变Ge层(100)中制造PFET器件的结构和方法。该器件的制造方法与标准CMOS技术兼容,并且完全可升级。该方法包括选择性外延沉积Ge含量大于50%的缓冲层(101)、纯Ge层(100)和SiGe顶层(120)。制造的在压缩应变Ge层中寄宿的掩埋沟道PMOS器件相对于类似的Si器件显示出较好的器件特性。
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公开(公告)号:CN1954439A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200580015590.4
申请日:2005-05-10
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L29/06 , H01L31/0328 , H01L31/0336 , H01L29/739 , H01L31/072 , H01L21/337 , H01L21/3205 , H01L21/8249 , H01L21/331 , H01L21/8222
CPC分类号: H01L21/84 , H01L21/823807 , H01L27/1203 , H01L29/1054 , H01L29/7841
摘要: 本发明公开了一种在压缩应变Ge层(100)中制造PFET器件的结构和方法。该器件的制造方法与标准CMOS技术兼容,并且完全可升级。该方法包括选择性外延沉积Ge含量大于50%的缓冲层(101)、纯Ge层(100)和SiGe顶层(120)。制造的在压缩应变Ge层中寄宿的掩埋沟道PMOS器件相对于类似的Si器件显示出较好的器件特性。
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