发明专利
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device
- 专利标题（中）： 半导体器件
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申请号： JP2016065850申请日： 2016-03-29
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公开(公告)号： JP2016154249A公开(公告)日： 2016-08-25
- 发明人: 秋元 健吾 , 渡邊 了介 , 津吹 将志 , 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2010035423 2010-02-19
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; G02F1/1368 ; H01L29/786
摘要：
【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半 導体装置を提供することを課題の一とする。 【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮 する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接す る低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート 配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジス タの微細化を実現できる。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6227039B2 半導体装置 公开/授权日：2017-11-08
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IPC分类:
