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    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020025113A

    公开(公告)日：2020-02-13

    申请号：JP2019191873

    申请日：2019-10-21

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  渡邊 了介 ,  坂田 淳一郎 ,  秋元 健吾 ,  宮永 昭治 ,  廣橋 拓也 ,  岸田 英幸

    IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/786

    摘要： 【課題】電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置及び当該半導体装置をスイッチング素 子として用いた表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】酸化物半導体層を用いたトランジスタにおいて、該酸化物半導体層の少なく とも一表面側に該表面と垂直な方向にc軸成長し、該表面に平行なa−b面を有する針状 結晶群を有し、該針状結晶群以外の部分は非晶質又は非晶質と微結晶とが混在している構 成とすることによって、電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置を作製することができ る。 【選択図】図1

    半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2015122519A

    公开(公告)日：2015-07-02

    申请号：JP2015010813

    申请日：2015-01-23

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  渡邊 了介 ,  坂田 淳一郎 ,  秋元 健吾 ,  宮永 昭治 ,  廣橋 拓也 ,  岸田 英幸

    IPC分类号： H01L21/477 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/41733

    摘要： 【課題】電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置及び当該半導体装置をスイッチング素 子として用いた表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】酸化物半導体層を用いたトランジスタにおいて、該酸化物半導体層の少なく とも一表面側に該表面と垂直な方向にc軸成長し、該表面に平行なa−b面を有する針状 結晶群を有し、該針状結晶群以外の部分は非晶質又は非晶質と微結晶とが混在している構 成とすることによって、電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置を作製することができ る。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供具有良好电气特性的高度可靠的半导体器件，并提供使用该半导体器件作为开关元件的显示装置。解决方案：在使用氧化物半导体层的晶体管中，提供在 氧化物半导体层的至少一个表面侧在垂直于表面的c轴方向上生长，并且包括平行于该表面的ab平面，并且除了针晶基以外的部分是非晶区域或非晶区域和微晶体 混合 因此，可以制造具有良好电特性的高度可靠的半导体器件。

    トランジスタ
    7.
    发明专利
    トランジスタ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019186568A

    公开(公告)日：2019-10-24

    申请号：JP2019126962

    申请日：2019-07-08

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  渡邊 了介 ,  坂田 淳一郎 ,  秋元 健吾 ,  宮永 昭治 ,  廣橋 拓也 ,  岸田 英幸

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

    摘要： 【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示 装置を提供する。 【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性 層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている 。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や 酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と の接触抵抗を下げることができる。 【選択図】図1

    酸化物半導体膜及び半導体装置
    8.
    发明专利
    酸化物半導体膜及び半導体装置 审中-公开
    氧化物半导体膜以及半导体装置

    公开(公告)号：JP2017022400A

    公开(公告)日：2017-01-26

    申请号：JP2016179127

    申请日：2016-09-14

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  坂倉 真之 ,  渡邊 了介 ,  坂田 淳一郎 ,  秋元 健吾 ,  宮永 昭治 ,  廣橋 拓也 ,  岸田 英幸

    IPC分类号： H01L21/477 ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/2636 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/41733

    摘要： 【課題】電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置及び当該半導体装置をスイッチング素 子として用いた表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】酸化物半導体層を用いたトランジスタにおいて、該酸化物半導体層の少なく とも一表面側に該表面と垂直な方向にc軸成長し、該表面に平行なa−b面を有する針状 結晶群を有し、該針状結晶群以外の部分は非晶質又は非晶質と微結晶とが混在している構 成とすることによって、電気特性が良好で信頼性の高い半導体装置を作製することができ る。 【選択図】図1

    摘要翻译： 甲电特性，以及提供使用了良好的和可靠的半导体器件和半导体器件作为开关元件的显示装置。 解决方案：在包括在表面上的氧化物半导体层，c轴生长和垂直于所述氧化物半导体层的至少一个表面的方向上，针状具有平行a-b面表面上的晶体管 它有一个晶基团，由比所述无定形或无定形的和细晶体混合，产生高度可靠的半导体器件的电气特性良好的针状晶体组的结构以外的部分 它可以。 点域1

    半導体装置
    10.
    发明专利
    半導体装置 有权
    半导体器件

    公开(公告)号：JP2016154249A

    公开(公告)日：2016-08-25

    申请号：JP2016065850

    申请日：2016-03-29

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 秋元 健吾 ,  渡邊 了介 ,  津吹 将志 ,  山崎 舜平

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

    摘要： 【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半 導体装置を提供することを課題の一とする。 【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮 する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接す る低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート 配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジス タの微細化を実現できる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种使用实现了晶体管的小型化并实现电场弛豫的氧化物半导体的半导体器件。解决方案：在半导体器件的制造方法中，栅电极的线宽缩小， 源极电极层和漏极电极层之间的空间变窄。 由于通过使用栅电极作为掩模，通过以自对准的方式添加稀有气体，可以在氧化物半导体层中提供与沟道形成区接触的低电阻率区域，所以可以将低电阻率区域提供高对准 精度，即使栅电极的宽度，即栅极配线的线宽被缩小并被处理，从而可以实现晶体管的小型化。图示：图1