发明专利
JP2019176175A 剥離方法
审中-公开
- 专利标题: 剥離方法
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申请号: JP2019110115申请日: 2019-06-13
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公开(公告)号: JP2019176175A公开(公告)日: 2019-10-10
- 发明人: 保本 清治 , 佐藤 将孝 , 江口 晋吾 , 鈴木 邦彦
- 申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址: 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人: 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址: 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权: JP2013031401 2013-02-20
- 主分类号: H01L27/12
- IPC分类号: H01L27/12 ; H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L21/02
摘要:
【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6736729B2 剥離方法 公开/授权日:2020-08-05
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