半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021177564A

    公开(公告)日:2021-11-11

    申请号:JP2021112485

    申请日:2021-07-07

    Abstract: 【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1

    発光装置
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021028991A

    公开(公告)日:2021-02-25

    申请号:JP2020194148

    申请日:2020-11-24

    Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、寿命の長い発光素子を提供する 。 【解決手段】一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、ホスト材 料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとが重なり、ホスト材料の励起エネル ギーがゲスト材料の励起エネルギーに変換され燐光を発する発光素子を提供する。ホスト 材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを利用して、ホスト材料か らゲスト材料へのエネルギー移動が円滑に行われるため、該発光素子はエネルギー移動効 率が高い。したがって、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。 【選択図】図1

    材料および発光装置
    9.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020077863A

    公开(公告)日:2020-05-21

    申请号:JP2019186828

    申请日:2019-10-10

    Abstract: 【課題】外部量子効率が高い発光素子を提供する。また、駆動電圧の低い発光素子を提供する。 【解決手段】燐光性化合物、第1の有機化合物、及び第2の有機化合物を含む発光層を一対の電極間に有し、第1の有機化合物及び第2の有機化合物が、励起錯体(エキサイプレックス)を形成する組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯と重なり、励起錯体の発光スペクトルのピーク波長が、燐光性化合物の吸収スペクトルの最も長波長側に位置する吸収帯のピーク波 長以上である発光素子を提供する。 【選択図】図1

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