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    発光装置及び電子機器
    4.
    发明专利
    発光装置及び電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020184081A

    公开(公告)日：2020-11-12

    申请号：JP2020113944

    申请日：2020-07-01

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 早紀 ,  谷中 順平 ,  武島 幸市 ,  伊藤 港 ,  横山 浩平

    IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22 ,  H05B33/14 ,  G09F9/30

    摘要： 【課題】信頼性が高く、繰り返しの曲げに強く、高温高湿環境下においてもクラックが生じにくい発光装置を提供する。 【解決手段】発光装置は、第1の基板101と、第2の基板111と、素子層106aと、第1の絶縁層105と、第2の絶縁層115と、第1の接着層103と、第2の接着層113と、を有し、第1および第2の基板は、可撓性を有し、各層は第1の基板、第1の接着層、第1の絶縁層105、素子層、第2の接着層、第2の絶縁層115の順に設けられ、素子層は、発光素子を有し、第1/第2の絶縁層は、第1/第2の部分を有し、第1/第2の接着層は、第3/第4の部分を有し、第1/第2の基板は、第5/第6の部分を有し、第1又は第2の部分の少なくとも一方は圧縮応力が生じており、第3又は第4の部分の少なくとも一方のガラス転移温度は、60℃以上であり、第5又は第6の部分の少なくとも一方の線膨張係数は、60ppm/K以下である。 【選択図】図1

    フレキシブルデバイスの作製方法
    5.
    发明专利
    フレキシブルデバイスの作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019195107A

    公开(公告)日：2019-11-07

    申请号：JP2019143496

    申请日：2019-08-05

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎 舜平 ,  谷中 順平 ,  保本 清治 ,  大野 正勝 ,  安達 広樹

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H01L21/336

    摘要： 【課題】低コストで量産性の高い剥離方法を提供する。 【解決手段】作製基板上に、感光性及び熱硬化性を有する材料を用いて、厚さ0.1μm 以上3μm以下の第1の層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、第1の層に開口を 形成することで、開口を有する樹脂層を形成し、樹脂層の開口と重なるようにシリコン層 または酸化物層を形成し、樹脂層上に、金属酸化物を有するトランジスタを形成し、トラ ンジスタのソースまたはドレインと同じ工程で形成される導電層を、シリコン層上または 酸化物層上に形成し、樹脂層及び、シリコン層または酸化物層にレーザを用いて光を照射 し、トランジスタ及び導電層と、作製基板とを分離する。 【選択図】図1

    剥離方法
    6.
    发明专利
    剥離方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019176175A

    公开(公告)日：2019-10-10

    申请号：JP2019110115

    申请日：2019-06-13

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 晋吾 ,  鈴木 邦彦

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

    摘要： 【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1

    剥離方法
    10.
    发明专利
    剥離方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017175127A

    公开(公告)日：2017-09-28

    申请号：JP2017049108

    申请日：2017-03-14

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  大野 正勝 ,  安達 広樹

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/6835 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2251/566

    摘要： 【課題】剥離工程を用いて、繰り返しの曲げに強い装置を作製する。剥離工程を用いて、非常に小さい曲率半径で曲げることができる装置を作製する。 【解決手段】基板上に第1の絶縁層を形成する第1の工程と、第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成する第2の工程と、第2の絶縁層上に剥離層を形成する第3の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行う第4の工程と、剥離層上に第3の絶縁層を形成する第5の工程と、加熱処理を行う第6の工程と、剥離層と第3の絶縁層とを分離する第7の工程と、を有する。第1の絶縁層及び第3の絶縁層は、水素をブロックする機能を有し、例えば、窒化シリコン膜などを有する。第2の絶縁層は、加熱されることで水素を放出する機能を有し、例えば、酸化シリコン膜などを有する。 【選択図】図1